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沉积温度对N掺杂Cu2O薄膜生长及光学特性的影响.PDF
:
李洪婧等 沉积温度对 掺杂 薄膜生长及光学特性的影响
N Cu O
2 1881
沉积温度对 掺杂 薄膜生长及光学特性的影响*
N CuO
2
, , , ,
李洪婧 马春雨 李 帅 董武军 张庆瑜
( , )
大连理工大学三束材料改性重点实验室 辽宁大连 116024
: , ,
摘 要 利用反应射频磁控溅射技术 首次利用氧化 为了更好地控制 CuO 薄膜的生长 本文首次选
2
, ,
铜作为溅射靶 在氮气和氩气的混合气氛下 制备出 ,
N 用CuO靶为溅射靶 在无氧的环境下采用射频磁控溅
。 ,
掺杂的 Cu O 薄膜 通过改变沉积温度 研究了氮掺 , ,
2 射方法 在氮气和氩气的环境下 制备了 掺杂的
N
杂CuO 薄膜的结构特征和生长模式以及光学特性。
2
。 ,
薄膜 在这一方法中 由于 原子完全来自溅
Cu O O
2
, ( )
研究结果表明低温沉积时 薄膜表现为比较强的 100
, 。
射靶 因此可以有效避免 相的产生 通过 射线
CuO X
; ,
织构 随着沉积温度增加到 500℃ 薄膜逐渐转变为 ( )、 ( )
衍射 XRD 原子力显微镜 AFM 以及透射光谱等技
( ) ,
111 织构 沉积温度增加导致的临界成核自由能的增
,
术 分析了沉积温度对 掺杂的 薄膜结构特征
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