沉积温度对N掺杂Cu2O薄膜生长及光学特性的影响.PDFVIP

沉积温度对N掺杂Cu2O薄膜生长及光学特性的影响.PDF

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沉积温度对N掺杂Cu2O薄膜生长及光学特性的影响.PDF

: 李洪婧等 沉积温度对 掺杂 薄膜生长及光学特性的影响 N Cu O 2 1881 沉积温度对 掺杂 薄膜生长及光学特性的影响* N CuO 2 , , , , 李洪婧 马春雨 李 帅 董武军 张庆瑜   ( , ) 大连理工大学三束材料改性重点实验室 辽宁大连 116024 : , , 摘 要 利用反应射频磁控溅射技术 首次利用氧化 为了更好地控制 CuO 薄膜的生长 本文首次选     2 , , 铜作为溅射靶 在氮气和氩气的混合气氛下 制备出 , N 用CuO靶为溅射靶 在无氧的环境下采用射频磁控溅 。 , 掺杂的 Cu O 薄膜 通过改变沉积温度 研究了氮掺 , , 2 射方法 在氮气和氩气的环境下 制备了 掺杂的 N 杂CuO 薄膜的结构特征和生长模式以及光学特性。 2 。 , 薄膜 在这一方法中 由于 原子完全来自溅 Cu O O 2 , ( ) 研究结果表明低温沉积时 薄膜表现为比较强的 100 , 。 射靶 因此可以有效避免 相的产生 通过 射线 CuO X ; , 织构 随着沉积温度增加到 500℃ 薄膜逐渐转变为 ( )、 ( ) 衍射 XRD 原子力显微镜 AFM 以及透射光谱等技 ( ) , 111 织构 沉积温度增加导致的临界成核自由能的增 , 术 分析了沉积温度对 掺杂的 薄膜结构特征

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