碳纳米管冷阴极大电流发射机理的研讨.pdfVIP

真空科学与技术学报 第25卷增刊 OFVACUUMSCIENCEAND．IEcHNoI JoURNAL OGY(C四队) 2005年12月 碳纳米管冷阴极大电流发射机理的研究 雷威’ 杨扬张晓兵娄朝刚 (东南大学电子工程系南京210096) EmissionCurrentMechanisraofCarbonNanotubeCathode Large Arrays Lei andLou Wei’，YangYang，ZhangXiaobing Chaogang (及声删ofJEz嘲·删勋∥州，SoutheastUraversay，Nanjug，210096，C／gna) tfllstractMec}lam锄0f currentofc,alJtlollnanotube stued．Wefoundthat fieldemi8810noc· arrays strong 1a弹emlgslorl w鹅tenlabvely 锄at cathodemadeofcarbonnanotubes nmmc瑚靶甜the鲫l鲫onareareducesav- the蛔ofa弛ct舡lgI虹8haped arrays，whereas ofthe ellllSSlOHcurrentbutaffectshtththe(ffEllSSlOrlcurrent 8tlHcture8wltll emissionwere eraged edges．New Lqcreaslngedge proposed．Sanulat- iS room edand resultsshowthattheresullmuch for derfllSslonclmf|entofthecathode． experimental mⅡ[Dcovenmnt Cold field Keywords emission，Current cathode，La弹current density，Fnnge 摘要本文对碳纳米管冷阴极的场致发射机理进行了理论和实验研究。研究发现，如果场致发射冷阴极的发射面积很小， 有可能得到较大的发射电流密度。当发射面积增加时，冷阴极的平均发射电流密度迅速下降，很难得到大的束电流。研究表明， 在碳纳米管冷阴极的场致发射现象中，边沿场的场致发射现象起着非常重要作用。如果仅仅增加发射面积，边沿发射电流增加 不多，这导致了平均发射电流密度的下降。因此，在阴极结构中增加发射体的边沿，则可有效提高阴极的发射电流。 关键词冷阴极大电流发射电流密度边沿场 中图分类号：TNl05．1 文献标识码：A 文章编号：1672-7126(2005)增-080-03 场致发射冷阴极利用高电场作用下的隧穿效应 者开展了大量研究工作。利用具有负电子亲和势的 获得足够的发射电流。与传统的热阴极相比，场致 准一维纳米材料可以有效降低阴极逸出功，在碳纳 发射冷阴极具有功率损耗小、结构简单、可大面积制 米管顶端修饰低逸出功材料，既可以获得高的场增 备等优点。场致发射冷阴极在平板显示器件、高频 强因子，又可以减小电子发射的表面势垒。采用这 功率器件等具有非常广泛的