微电子技术学科前沿-FinFET-SiGe.pptVIP

异质结双级晶体管的结构特点　 具有宽带隙的发射区大大提高了发射结的载 流子注入效率 功率密度高 相位噪声低线性度好 ＨＢＴ结构图解 HBT适用范围: 低相位噪声振荡器 高效率功率放大器 宽带放大器 SiGeHBT水平结构图 GaSeHBT结构图 (2) LDMOS – LIGBT – 阳极短路  LIGBT–SINFET-- SiGe阳极LIGBT 结构 原理 优缺点 LDMOS--–LIGBT---–SINFET-–-阳极短路LIGBT S LD高 S LIGBT低 S SIN= S LD S LIGBT S阳短 S LD RON大 RON大 RON LD R LIGBT RON LD SiGe阳极LIGBT：特点与SINFET相近，然而速度和可控、便于大规模生产  n沟道SINFET截面图 p-sub n-epi 肖特基接触 p p+ n+ K G A 锗硅阳极绝缘栅异质结晶体管 锗硅阳极绝缘栅异质结晶体管（续） 窄禁带异质SiGe源区IGHBT 窄禁带异质SiGe源区、 宽禁带异质阳极IGHBT 阳极短路IGHBT 微电子技术前沿— 微电子中的人类智慧 深掏滩，低垒堰 云盘山--三星堆--金沙--