制备太阳 能级硅新工艺以及各工艺比较.ppt

* * 冶金法 气液沉积法 熔融盐电解法 高纯金属还原法 1 2 3 4 制备太阳 能级硅新工艺 1.冶金法 冶金法：用类似于金属冶炼提纯的一整套方法来提纯多晶 硅的方法统称为冶金法。 含义： （1）冶金法不是仅仅一种方法，而是一整套方法。 （2）最主要的是硅材料在提纯过程中成分保持不变！ 什么是冶金法？ 用物理和冶金的原理对硅材料进行提纯的方法。 其特点：硅在提纯的工艺过程中成分不变! 等离子体提纯技术 金属硅的提纯分为两步 第一步是通过化学清洗、定向凝固、吹入气体进行反应，来实现金属硅的提纯 第二步利用等离子体电磁感应加热，以含氧的气体作为反应气体，通过和杂质的作用生成挥发性气体或炉渣，达到去除杂质、提纯金属硅的目的 电子束轰击提纯技术 用电子束轰击技术进行了太阳能级用高纯硅 通过连续的真空抽气，使反应器内压力极低(10-3Pa)，根据杂质元素的蒸气压不同的特点，可以使杂质在高温下蒸发或者氧化除去。 利用电子束将硅可以提纯到99.999%。 定向凝固除杂后真空熔炼技术 选择纯度较好的工业硅（冶金硅） 进行水平区熔单向凝固成硅锭（去除硅锭中金属杂质聚集的部分和外表部分后） 进行粗粉碎与清洗，（除去氧化除硼和碳等杂质） 进行第二次水平区熔单向凝固成硅锭（去除第二次区熔硅锭中金属杂质聚集的部分和外表部分） 粗粉碎与清洗后，在电子束熔融炉中去除磷和碳杂质，直接生成太阳能级多晶硅 高纯MG-Si 第一次定向凝固 去除B和C 第二次定向凝固 去除P SOG-Si 氧化精炼 电子束除杂 定向凝固 酸浸处理 SoG-Si 真空精炼 冶金硅 加入Ca 除去Ti,Fe 除去P,O,Ca,Al 先加入钙进行造渣 通过酸浸除去易溶于酸的金属杂质 氧化精炼除去氧化后易挥发杂质 真空精炼除去饱和蒸气压较大的杂质 经过定向凝固除去分凝系数小的杂质，得到太阳能级硅 酸浸精炼技术 2.气液沉积法 工艺过程： 将反应器中的石墨管的温度升高到1500°C ，流体三氯氢硅和氢气从石墨管的上部注入，在石墨管内壁1500°C高温处，硅液的表面分解生成液体状硅，然后滴入底部，温度回升变成固体粒状的太阳能级多晶硅。 工艺特点：成本低，沉级速度快的特点。 3.熔融盐电解法 4.高纯金属还原法 氢气还原法 锌还原法 铝热还原法 碳热还原法 1 2 3 4 锌还原法 工艺过程： 将高纯的氮气或氩气或混合气体通入密闭管式石英反应器并产生等离子气，同时使四氯化硅和锌蒸汽按反应适量比在等离子气氛中反应，生成硅和氯化锌；反应混合气沿管道进入第一收集器，通过保温控制在800~1000°C，使氯化锌和未反应的锌沉积，将氯化锌和锌加热融化分离；其他的混合气进入第三收集器，通过冷却降温到10~0°C，收集剩余的四氯化硅；将剩余的气体进入喷淋后排放。 工艺特点： 反应过程连续，自动化程度比较高，反应速度快，产品质量稳定，产品程度99.999%，无三废排放，易实现产业化，其副产品可以回收。 铝热还原法 工艺过程： 利用CaO-SiO2液相辅助熔剂在1600~1700°C条件下，对石英砂进行铝热还原反应生成多晶硅和养化铝。 工艺特点： 这种助熔剂一方面可以溶副产物氧化铝，同时又可以被释放出来，由于硅的密度较小，它将浮在上层，经过一段时间后，将其灌入铸模中进行有控制的正常凝固，以便分离分凝系数小的杂质。用这种新的、半连续的工艺能得到比通常冶金级硅纯度高的硅。具有较低的硼、碳含量，然后将其进行破碎、酸洗和液-气萃取。 氢气还原法 以废旧的光纤为原料，采用等离子体技术，氢气还原光纤制备高纯的太阳能级硅，收到了很好的效果 碳热还原法 工艺过程： 将高纯度的SiO2粉用Ar气从炉子的底部吹入炉体内，高纯的球碳团从炉顶加入，在炉体底部形成SiO气体与顶部加入的还原剂形成逆流，还原Si和生成CO。未反应的SiO在上升的过程中形成SiC， SiC和碳球一起作为还原剂下降继续还原SiO。 工艺特点： 由于原料的高纯度，生成的Si中其它杂质的总和小于20ppm，产品经过氧化脱碳和定向凝固除杂处理可以达到制备太阳能电池所用硅的纯度要求。又由于该工艺过程对硅石原料和还原剂的纯度要求非常严格，对碳粒度要求高，而且要避免其它杂对Si的污染，要实现大规模的生产还有很多问题要解决。 *