第一章-半导体器件2749.pptVIP

1 .3 .6 三极管主要参数 一. 电流放大系数 1. 共发射极电流放大系数 直流β≈IC/IB 交流β≈ΔIC/ΔIB 均用β表示。 2. 共基极电流放大系数 直流α≈IC/IE 交流α≈ΔIC/ΔIE 均用α表示。 二. 反向饱和电流 1.集电极—基极间反向饱和电流ICBO 2.集电极—发射极间穿透电流ICEO ICEO = (1+β) ICBO β=α/(1－α) α=β/(1+β) 1 .3 .6 三极管主要参数 一. 电流放大系数 β≈IC/IB α≈IC/IE β=α/(1－α) α=β/(1+β) 二. 反向饱和电流 ICBO ICEO ICEO = (1+β) ICBO 三. 极限参数 1. 集电极最大允许电流ICM 2. 集电极最大允许功耗PCM 3. 反向击穿电压U(BR)CEO 、U(BR)CBO 三极管的安全工作区 1 .4 场效应管（Field Effect Transistor ） 场效应管是单极性管子，其输入PN结处于反偏或绝缘状态，具有很高的输入电阻（这一点与三极管相反），同时，还具有噪声低、热稳定性好、抗辐射性强、便于集成等优点。 场效应管是电压控制器件，既利用栅源电压控制漏极电流（iD = gmuGS）——这一点与三级管（电流控制器件, 基极电流控制集电极电流,iC = βiB）不同，而栅极电流iD为0（因为输入电阻很大）。 场效应管分为两大类:结型场效应管（JFET——Junction Field Effect Transistor）、绝缘栅型场效应管（IGFET——Insulated Gate Field Effect Transistor）。 1 .4 .1 结型场效应管 一. 结构及符号 N沟道管靠（单一载流子）电子导电，P沟道管靠（单一载流子）空穴导电。场效应管的栅极G、源极S和漏极D与三级管的基极b、发射极e和集电极c相对应。 1 .4 .1 结型场效应管 二.工作原理（栅源电压UGS对漏极电流ID的控制作用） 以N沟道管为例。漏源之间的PN结必须反偏。 N沟道结型场效应管加上反偏的栅源电压UGS (UGS＜0) ，在漏源之间加上漏源电压UDS(UDS＞0)，便形成漏极电流ID。而且UGS可控制ID。 1 .4 .1 结型场效应管 二.工作原理（栅源电压UGS对漏极电流ID的控制作用） 1.当VGS=0时，沟道最宽,沟道电阻最小，加上VDS可形成最大的ID； 2.当VGS＜0时，沟道逐渐变窄，沟道电阻逐渐变大，ID逐渐减小； 3.当VGS=VP (夹断电压)时，沟道夹断，沟道电阻为无限大，ID=0。 所以，栅源电压VGS对漏极电流ID有控制作用。 1 .4 .1 结型场效应管 三. JFET特性曲线 VGS=0时,随着VDS的增大,沟道变化情况如下: 加上VGS，沟道会进一步变窄。 1 .4 .2 结型场效应管 三. JFET特性曲线 1.转移特性曲线 ID =f( UGS )|UDS 1 .4 .1 结型场效应管 三. JFET特性曲线 2.漏极特性曲线 变化VGS,得到一族特性曲线。分为可变电阻区、恒流区、击穿区三部分。 JFET管处于恒流状态时，有 ID=gmVGS ID =f( UDS )|UGS 1 .4 .1 结型场效应管 四. JFET管工作过程小结 N沟道JFET 栅源电压VGS为负值，漏源电压VDS为正值（P沟道JFET与之相反）。在栅源电压VGS控制下，漏极电流ID随栅源电压而发生变化。并且，VGS=0时，ID最大；VGS= VP 时，ID=0。二者之间关系为： ID=gmVGS （栅源间必须反偏） 1 .4 .2 结型场效应管 三. JFET特性曲线 3.转移—输出特性关系 由输出特性曲线可得到转移特性曲线 1 .4 .1 结型场效应管 四. JFET管工作过程小结 N沟道JFET 栅源电压VGS为负值，漏源电压VDS为正值（P沟道JFET与之相反）。在栅源电压VGS控制下，漏极电流ID随栅源电压而发生变化。并且，VGS=0时，ID最大；VGS= VP 时，ID=0。二者之间关系为： ID=gmVGS （栅源间必须反偏） 1 .4 .1 绝缘栅型场效应管 这种场效应管的栅极处于绝缘状态，输入电阻更高。广泛运用的是金属—氧化物—半导体场效应管MOSFET（Met