半导体物理北交经典课件考研必备-第五章.pptVIP

第五章 非平衡载流子 §5.1 非平衡载流子的产生 和寿命 §5.2 准费米能级和非平衡载流子浓度 一、非平衡态时的准费米能级 §5.3 非平衡载流子的复合 §5.4 陷阱效应 一、陷阱效应的类型 §5.5 非平衡态下载流子的运动 对非平衡载流子有两种定向运动： 4．有效复合中心 若： 当 时， 最小, ui 极大 位于禁带中央的深能级是最有效的复合中心 ● 如果Et?Ec，那么由Ec—Et决定的n1大， n1决定发射电子的产生率En=rnntn1大，电子容易从Et能级上发射出去，进入导带，un=Cn-En?， ● 如果Et?EV，那么p1?，Et能级向价带发射的 空穴数?，Et上净俘获的空穴几率up?。 浅能级不能起有效的复合中心的作用 四、表面复合 —- 半导体表面发生的复合过程 1．表面复合率us us：单位时间流过单位表面积的非平衡载流子，单位：个/s·cm2 ：为样品表面处单位体积的非子数(表面处的非子浓度1/cm3) 少子的寿命受半导体的形状和表面状态的影响 个/s cm2 个/cm3 cm/s S比例系数，表征表面复合的强弱，具有速度的量纲，称为表面复合速度。 2．影响表面复合的因素及寿命表示式 (1) 表面粗糙度 (2) 表面积与总体积的比例 (3) 与表面的清洁度、化学气氛有关 在考虑表面复合后，总的复合几率为： 对于 的杂质， 电子的俘获能力远大于俘获空穴的能力， 称为电子陷阱。 ● ● 对于 的杂质， 俘获空穴的能力远大于俘获电子的能力， 称为空穴陷阱。 二、陷阱效应的分析 1．陷阱效应中的载流子浓度 稳态时陷阱上的电子浓度nt 为陷阱上的非子浓度 为俘获电子， 电子陷阱 为俘获空穴， 空穴陷阱 2．陷阱上的电子对电导的间接贡献 没有陷阱时： 有电子陷阱后： 三、有效陷阱效应 假设电子陷阱，rnrp 当： 时，最有效 ●当EtEF时，Ec-Et小，n1大，电子从Et激发到Ec的几率大； ●当EtEF时，在热平衡态时，Nt中大部分已被电子占有，空穴很少，??nt小 ?Nt=4no no是少子，陷阱是少子陷阱 电子陷阱是存在于P型材料中 空穴陷阱是存在于N型材料中 四、饱和陷阱 以电子陷阱为例： 达到平衡时： 要达到饱和： ● n很大，可以忽略n1 ∵n=n0+?n，n很大，说明?n很大，大注入 ● n1很小，说明陷阱中心的位置远离导带 深陷阱和浅陷阱 Ec Ev Et1 Et2 t △p (△p)o/e τ τ’ ↓ 浅陷阱 ↓ 深陷阱 ●电场作用下的漂移运动； ●浓度差引起的扩散运动。 一、非平衡载流子的扩散运动和扩散电流 1．非子的扩散运动和一维稳态时的扩散方程 均匀掺杂的N型半导体 非子从一端沿整个表面均匀产生， 且只在x方向形成浓度梯度 ， 非子是沿x方向运动。 光照 x 非平衡载流子的扩散 A B 0 x x+Δx 在 x=x 处，取截面 A，x = x + ?x 处取截面 B，两截面垂直于 x 轴，并且都为单位面积 1 cm2 扩散流密度 Sp(x)： 单位时间通过扩散流过垂直的单位 截面积的载流子 Dp为扩散系数，量纲为cm2/s 在 x + ?x 处，流密度为Sp( x + ?x ) 在 1 秒钟内，在 1??x 体积内的非子数为： Sp(x)-Sp(x+?x) 单位时间、单位体积中积累的非子为： 单位时间单位体积被复合掉的非子为 ： 在稳态时，积累的载流子应等于复合掉的载流子 2．典型样品的分析 (1) 厚样品 WLp W＞＞Lp x hν 按复合发生的位置分 表面复合 体内复合 按放出能量的形式分 发射光子 俄歇复合 发射声子 → 辐射复合 →无辐射复合 二、非子的直接复合 1．复合率和产生率 (1) 复合率： 单位时间、单位体积中被复合的载流子对（电子、空穴对），量纲为：对(个)/s·cm3 用R表示 R ? np R = rnp r：比例系数，它表示单位时间一个电子与一个空穴相遇的几率，通常称为复合系数 当 n = n0，p = p0 时， r n0 p0 =热平衡态时单位时间、单位体积被复合掉的电子、空穴对数 对直接复合，用 Rd 表示复合率 Rd = rdnp—非平衡 Rd=rdn0p0—热平衡 rd 为直接复合的复合系数 非平衡态下的产生率 非平衡下的产生率与热平衡下的产生率相等，why? Ec Ev Et ? (一) (二) 电子由Ec→Et ? ? (甲) (乙) (丙) (丁) 导带的