Ta反应离子刻蚀特性的研讨.pdf

2005年12月 第十三届全国电子束-离子束·光子束学术年会 湖南·长沙 Ta反应离子刻蚀特性的研究 赵玉印杜寰韩郑生 中国科学院微电子研究所 摘要：人通过应用SF6、Ch、O：、He：、CHF3等不同比例的混合气体的反应离子刻蚀技术，对金属钽 速率。原子力显微镜(AFM)和扫描电镜(SEM)表明：在其它条件下不变的条件下，通过降低工作压力 可以获得陡直刻蚀图形。在用混合气体SF6、Oz的反应离子刻蚀时，适量的氧气可以提高薄膜的刻蚀速 率。 关键字：刻蚀、等离子体、刻蚀特性、刻蚀速率、Tantalum、Ta 一、引育 随着集成电路集成度的提高和电路的日趋复杂，构成电路的器件特征尺寸越来越小、器件之间的 互连线越来越窄。为了减小因线宽变窄和特征尺寸变小而引起的多晶硅电阻、接触电阻增加、从而导 致的电路RC延迟增加，而采用了包括金属Ta在内的全难熔金属硅化物以降低电阻、减小延迟¨】．日。另 一方面，由于器件的特征尺寸减小和线宽变窄，对光刻光源的波长要求短，目前，波长极短的x射线受 到人们广泛的青睐四。由于金属Ta具有良好的机械(应力、硬度、耐磨性)稳定性和很好的化学稳定性 (抗酸、碱腐蚀性)，因而使它成为理想的x射线光刻掩膜的吸收层。除此之外，金属Ta在集成电路的 制造中还可以作为不同物质交界面之间的阻挡层、氧化Ta也被研究作为高密度DRAM的高k材料之 一嗍。所有这一切，使得金属Ta的刻蚀特性成为人们越来越多关注的问题之一，因为人们在设计与此 有关的徽加工过程时，必须要了解这些被刻蚀材料的刻蚀特性”。过去有人使用混合气体的反应离子 等混合气体的反应离子刻蚀．对金属Ta的刻蚀特性了深人地研究，获得了很高刻蚀速率和较理想的 刻蚀效果。 二、样品的制备 本次实验样品的制备和刻蚀实验都是在中国科学院微电子研究所4英时硅工艺生产线上完成 的转速下，旋涂9912胶、1．Sl_Lm厚．经光刻成5斗m，10¨m，151xm等不同宽度的光刻胶掩膜线条。 三、实验结果与讨论 表1给出了所有样品在不同的刻蚀条件下的刻蚀结果。刻蚀中的氦He2(其流量为30∞em)是作 为惰性气体引入的，由于是惰性气体，它不会参与化学反应刻蚀过程，它只是起携带作用，将已完成的 刻蚀反虚物被迅速的抽走，提高反应速度。 -414- 2005年12月 第十三届全一电子束·离子柬·光子束学术年套 湖南·长沙 的条件下刻蚀完成的，图l表示了Ta的刻蚀速率随着sF6气体流量的增加而变化的结果。Ta在纯Cl 气等离子体中的刻蚀速率为12．5nm／s，随着sF6气体流量的增加，Ta的刻蚀速率也会随之增加，当sF‘ 的主要原因是由于sR流量的变化，导致刻蚀腔体中F、C1、S等离子发生变化[6t，这些变化又会导致等 离子体对样品和环境的刻蚀速率发生变化。所有的这些变化都会影响和改变T8的刻蚀速率。 和Ta-7的不同，主要原因是考虑了在刻蚀过程中，由于工作压力较低，流量过大对，容易造成工作压 力漂移，引起刻蚀结果不稳定。从图中可以看出，随着压力的增加，刻蚀速率也增加，但增加的幅度却 在趋缓。 表1。所有样品在不同条件下的刻蚀结果 RFPowerO， SF6 C12 CHF3 He2 PressureElchEtch Sample number (m 伍cm) (seem)(sccⅡO Time(s) (seem)(seem) (mtorr) rate(nm／s) Ta-I 200 5 30 30 190 100 5 Ta．2 200 10 30 30 190 150 unfinjshed 30 190 150+60 1b3 200 15