光辅助对MoCVD法制备ZnO薄膜性能的影响.pdfVIP

光辅助对MoCVD法制备ZnO薄膜性能的影响.pdf

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第29卷第1期 发 光 学 报 VoL29 No.1 2008年02月 OF CHINESEJoURNALLUMINESCENCEFeb.,2008 文章编号:1000-7032(2008)01-0139-05 光辅助对MOCVD法制备ZnO薄膜性能的影响 李香萍1,张宝林h,董 鑫2,张源涛1, 夏晓川1,赵 磊1,赵 旺1,马 艳1,杜国同12 (1.吉林大学电子科学与工程学院集成光电子国家重点实验室,吉林长春130012; 2.大连理工大学物理与光电工程学院--束材料改性国家重点实验室,辽宁大连116023) 摘要:采用光辅助金属有机化学气相沉积(Mocvo)技术在(0001)蓝宝石衬底上制备了Zn0薄膜。通过x 射线衍射、透射光谱和霍尔测试等研究了光照对MOCVD法制备的ZnO薄膜的影响。实验结果表明,引入光 辅助后制备的ZnO薄膜,其结晶质量和光学质量均得到改善。分析认为,这主要是由于光辅助有助于提高锌 有机源的分解效率,并且高能量的光子可为反应吸附的原子提供足够高的激活能,从而易于其迁移到合适的 晶格位置所致。同时我们还发现,有光照和无光照条件下制备的ZnO薄膜均呈n型导电,但有光照条件下制 备的ZnO薄膜具有更低的本底载流子浓度,这将为日后通过降低自补偿实现P型掺杂提供一个很好的解决 办法。 关键词:氧化锌薄膜;光辅助金属有机化学气相沉积;光学特性 中图分类号:0472.3 PACC:7280E文献标识码:A 件,不仅要有高质量的n型材料,我们还需要制备 1 引 言 低电阻率的P型ZnO薄膜。由于ZnO薄膜中存 ZnO作为一种直接带隙宽禁带半导体材料, 在较强的自补偿机制、H的钝化作用和受主杂质 室温下禁带宽度为3.37eV,激子束缚能高达60的固溶度低等问题,使得很难有效地实现P型元 meV,具有优良的光电和压电特性,是制作紫外光 素的掺杂。因此,制备稳定、可重复性好、载流子 电器件的主要候选材料之一,近年来倍受科研人 浓度可控、高质量的P型ZnO薄膜成为制约ZnO 员的关注。由于非故意掺杂条件下制备的ZnO 基光电器件广泛应用的瓶颈。尽管目前已有大量 中存在呈施主性质的本征缺陷[如锌间隙(zni)关于ZnO基发光二极管的报道[5“01,但大都仍 和氧空位(Vo)等],使通常制备的非掺杂ZnO呈局限于ZnO深能级相关的发光,这主要是由于P n型导电¨,2J。还有部分科研人员认为其n型导 型层的质量不够高所致。我们认为解决这个问题 电特性主要是由于薄膜生长过程中存在非故意引 的关键是一方面提高和活化P型受主的掺杂,另 入的氢(H)所致呤】。H在ZnO薄膜中以施主态一方面要制备出高结晶质量的本征ZnO薄膜,后 存在,形成浅施主能级,对非掺杂ZnO的n型导者是最根本的解决办法。 电特性有十分重要的贡献。曾有报道指出未掺杂 已报道的制备ZnO薄膜的方法主要有:脉冲 激光沉积¨11、溅射¨21、金属有机化学气相沉积 条件下制备的ZnO薄膜其电子浓度可高达1021 em。3H1。但是通过未掺杂ZnO薄膜作为n型层(MOCVD)¨3l、超声喷雾热解[1卅和分子束外 制作光电器件,还难以满足其实用化的需求。因 延¨毛¨1等方法。其中由于MOCVD法制备的薄膜 此,我们需要通过掺杂灿、Ga、In等元素获得电学具有均匀性好、产量大、成本相对较低等优点,具 特性可控的n型ZnO薄膜,并已取得了一些研究有广泛的工业应用前景,成为制备ZnO薄膜的主 进展。但为了制作出性能较好的ZnO基光电器 收稿日期:2007-08-25;修订日期:2007—11-24 基金项目:国家自然科学基金资助项目50532080) 作者简介:李香萍(1983一),女,吉林人,博士研究生,主要从事ZnO薄膜材料的生长及器件研究。 ·:通讯联系人;E—mai]

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