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第二章 掺杂技术 第二章 掺杂技术 目的：改造半导体的电特性 定义:用人为的方法，将所需的杂质，以一定的方式掺入到半导体基片规定的区域内，并达到规定的数量和符合要求的分布。 应用：制作①PN结②IC中的电阻③欧姆接触区④硅栅⑤多晶硅互连线 方法：①热扩散②离子注入③合金 §1 扩散 定义：将掺杂气体导入放有硅片的高温炉中，从而达到将杂质扩散到硅片内的目的。 方法： ①液态源扩散 ②粉状源扩散 ③片状源扩散 ④乳胶源扩散 ⑤固体源（ CVD掺杂SiO2 )扩散 §1 扩散 一、 扩散原理 本质上：扩散是微观粒子做无规则热运动的统计结果。 方向上：高浓度向低浓度扩散。 1.菲克第一定律 J=-D·▽N D—扩散系数（cm2/s) ▽N—浓度梯度 “-”—从高浓度向低浓度扩散 J—扩散流密度 §1 扩散 2.扩散模型（机构） 杂质原子的能量—波尔兹曼分布 ①间隙式扩散—杂质运动在原子间的间隙 ② 替位（代位）式扩散—杂质原子从一个晶格点替位位置运动到另一个替位位置 前提：邻近格点有空位 一、扩散原理 3.扩散系数 D=D0 exp(-Ea /kT) D0—表观扩散系数，既1/kT→ 0时的扩散系数 Ea—激活能；间隙扩散：Ea = Ei， 替位扩散：Ea = Es+ Ev D是描述粒子扩散快慢的物理量，是微观扩散的宏观描述。 一、扩散原理 ①D与Ea成反比 替位扩散：Ea = Es+ Ev ，能量高，慢扩散； 间隙扩散：Ea = Ei，能量低，快扩散。 ② D与T成正比 a.高温扩散， T=800-1000℃ ； 例如，室温下Si中替位杂质要等1045 年才能跃迁一步。 b.精确控温，若ΔT=± 1 ℃，则ΔD=5%--10%。 一、扩散原理 3.菲克第二定律—扩散方程 对Si平面工艺，扩散流近似沿垂直Si表面方向（x方向）,则 根据质量守恒：单位时间内，在相距dx的两个平面之间，杂质数的变化量等于通过两个平面的流量差，即 ， 3.菲克第二定律—扩散方程 ，即 ――菲克第二定律/扩散方程 二、扩散杂质的浓度分布 1.恒定表面源扩散/恒定表面浓度扩散（constant-surface-concertration) 定义: 在扩散过程中，Si片表面的杂质浓度始终不变。 例如：预淀积，箱法扩散 初始条件：t=0时，N(x,0)=0； 边界条件： N(0,t)=Ns ， N(∞ ,t)=0； 解扩散方程，得 1.恒定表面源扩散 简化，得 ――余误差分布 式中， ――扩散长度；Ns= NSi(杂质在Si中的固溶度)；erf(x)—误差函数（error function);erfc(x)—余误差函数(complementary error function )； 1.恒定表面源扩散 余误差函数性质： ①erfc(x)＝ ；erfc(x) ≡ 1-erf(x)； ②erfc(0)＝1； ③erfc(∞)＝0； ④erfc(x)≌ ，当x?1； erfc(x)≌ ，当x?1； 1.恒定表面源扩散 杂质总量 结深 1.恒定表面源扩散 2.有限表面源扩散/恒定杂质总量扩散(constant-total-dopant) 定义：在扩散过程中，杂质源限定于扩散前淀积在晶片表面极薄层内的杂质总量Q，没有补充，也不会减少。 例如：再分布。 初始条件：（假设扩散开始时，杂质总量均匀分布在厚度为δ的薄层内；） N(x,0)= Q/δ=Ns,0≤x≤δ；N(x,0)=0,xδ； 边界条件：N(∞,t)=0；J=0,或 2.有限表面源扩散/恒定杂质总量扩散(constant-total-dopant) 解扩散方程，得 －－高斯分布 式中， ――表面浓度 结深 3．两步扩散工艺 定义：第一步在较低温度（800－900℃）下，短时间得浅结恒定源扩散，即预淀积；第二步将预淀积的晶片在较