共蒸发法制备的Cd1xZnxTe薄膜性能研究.pdf

Zn Te薄膜性能研究 共蒸发法制备的Cdl-X 翔 邵烨 郑家责 张睁全 冯良桓 蔡伟 式莉莉 蔡亚平 黎兵 匆 (四川大学 材料科学系 Is川成都 610064) 摘 要:用共蒸发法制备了Cd,_声n,Te薄膜。研究了蒸发速率、 衬底温度对薄膜成分 x〔值)的影响. 用XRD表征薄膜结构，通过其电导— 温度关系的测量，求出电导激活能:通过对不同x值样品的透 射谱的测量，算出光能隙，确证Cd, 可作为改进CdS/CdTe太阳电池结构的材料。 一ZnTe薄膜能隙可调， 关链词:Cd,，卜ZnTe薄膜，C(dS/CdT 0 弓!言 )太阳池“’3;,49x8 近年来，CdS/CdTe太阳电池的研究已经引起人们的1“泛重视。改进CdS/CdTe电池的一项关键 术，是在p-CdTe吸收层上制备稳定的欧姆接触背电极。 现在比较成功的方法是在p-CdTe与金属电 间制作一层重掺杂的ZnTe:Cu过渡层]][。 ZnTe和CdTe有相同的结构，可以重掺杂，是一种较好的过渡层材料。 但也存在一些不足， 着电池效率的进一步提高。 (1)CdTe能隙宽度1.45eV，而ZnTe能隙宽度是2.26eV，加上价带偏移，使p-CdTe和p+-ZnTe Cu的导带有1.leV左右的势垒，它能有效的反射向背电极漂移的电子。但对光伏器件来说，高势垒差 的突变结会带来更多的界面态，会影响CdS/CdTe太阳电池的实际效率。 (幻在ZnTe:Cu薄膜中，Cu的含量通常为2-6at%。这些Cu原子一部分离化为一价离子， 价锌离子的替代式杂质进入立方ZnTe结构，成为施主杂质:另一部分Cu原子处于晶粒间的无定形 中。随着温度的升高。这些原子随着晶粒长大而从品界进入晶格，也可能有一部分Cu原子不以置 方式结合，而扩散进CdTe层，使电池性能不稳定t2]a 基于上述ZnTe:Cu薄膜与CdTe接触的缺点，我们提出一种结构改进，即在p-CdTe层和p-Zn 这样既能阻止Cu原子向CdTe吸收层扩 Cu层之间作一层能隙宽度可调的p型Cd卜多nje多品薄膜， 也能改善CdS/CdTe的电池能带结构，如图2所示。Cd,_,Zn,Te层的加入，仍保持了CdTe与p-ZnTe 之间的势垒高度，同时使工，leV高势差的突变变成两个小势差的台阶变化。 Cd,了n厂e是一种ii-V工族直接带隙化合物半导体。通过改变Cd/Zn原子比或〔x值)，可以使 能带宽度在1.49eV与2.26eV之间变化[J,9]。它可以通过真空蒸发法 (VacumEvaporation)[3，近 间气相输运 (Closespacedvaportransportmethod)[5I制备。B.M.Basol等人用two-stagep cess制备的CdS/Cd卜:Zn,Te太阳电池效率达到3.8%161可见Cd,_,Zn,Te薄膜可以作为CdS/CdTe太阳电 池的添加层。 ,Zn厂。薄膜，研究了衬底温度、蒸发速率比对 本文采用共蒸发沉积，在不同条件下制备了Cd,