响应812+um的lnGaAs／GaAs垂直对准量子点超晶格的正入射红外吸收.pdfVIP

响应8-12gm的inGaAs/GaAs垂直对准量子点超晶格的正入射 红外吸收 庄乾东，李晋闽，曾一平，潘量，孔梅影，林兰英 中国科学院半导体研究所新材料部，北京912信箱，100083 摘要:利用分子束外延技术，我们生长了30周期的InGaAs(GaAs量子点超晶格。透射电镜表明各层量子点沿生长 方向呈现很好的垂直对准。红外吸收测试观察到明显的垂直入射红外吸收，峰值波长为9Slim，第一次实现了量子 点对应8-12Etm大气窗口的垂直入射红外吸收。这一结果预示了量子点超晶格结构在红外探测领域的潜在应用。 一、引言 对应 8-12四大气窗口的红外光可以用于大气监测、夜视、通讯等，在国防及民用领域都 有着非常重要的意义。响应这一波段的半导体红外探测器的研究引起了人们很大的兴趣。量子阱红 外探测器的研究己取得很大的成功 ，‘但是需要在低温下工作，并且不能吸收垂直入射的红外光， 这些不利制约了它的进一步发展。量子点在理论上优于量子阱。首先，量子点的带内跃迁可以吸收 垂直入射的红外光，因此可以省除量子阱红外探测器所必须的光栅、反射面等。另外，由于量子点 的瓶颈效应2·“，光激发载流子的驰豫受到阻碍，在驰豫回基态之前参与输运从而形成光电流，因 此，可有效地提高量子效率，并有可能提高工作温度。 利用S一K生长模式可以制备高质量的量子点4.“。虽然这一模式生长的量子息具有确定的形 状，但是，量子点在单层上成核的随机性，使得这一模式生长的量子点有着很大的尺寸分布。在实 际的器件应用中，要求量子点具有均匀的形状和尺寸，因此，均匀一致的量子点的生长是量子点器 件应用上的关键。垂直对准的量子点多层结构 (量子点超晶格)在很多体系如:Gesi/Si, In(Ga)As/GaA。及GaInP/InP中己有了大量的研究 “，并且开辟了制备均匀一致量子点的新途径， 有可能满足制备量子点红外探测器的需求。有关量子点的红外吸收己有报道z-10。但是，对应8-12 IM大气窗口的量子点红外吸收还没有观察到。在以往的研究中’“，我们曾报道过掺杂InGaAs/GaAs 量子点超晶格在13-14lam处的垂直入射红外吸收。由于量子点的形状及尺寸显著影响量子点的能 级，因此，通过改变量子点的形状和尺寸，可以有效的调整量子点的红外吸收波长。本文报道了通 过改变材料生长条件及结构参数，我们成功的制各了垂直对准的量子点超晶格晶格，并将量子点的 红外吸收调整到对应8-12No大气窗口的波段，观察到明显的响应8.5-10.4lam的红外吸收。 二、实验 样品是在 (001)GaAs半绝缘衬底上利用Riber-32PMBE系统生长的。首先生长1.2lam的GaAs 缓冲层，生长温度为5800C，生长速率为 1.。IAM/h，然后生长 40周期的 InGaAs/GaAs超晶格 结构，InGaAs层的厚度为4.0nm,In含量为0.32,GaAs层的厚度为22.0nm,整个超晶格结构在 5000C温度下生长，生长速率控制在0.Blam/h，最后生长1.0lam的GaAs帽层，生长条件与缓 冲层相同。在生长过程中，利用高能电子衍射 ((RHEED)原位监测量子点的形成。 之后，对样品分别进行了断面透射电镜 ((XTEM),X-ray双晶衍射 (DCXD)、光萤光 (PL)及 红外吸收等测试。 三、实验结果与讨论 样品的XTEM像 (本文没有出示)清晰的显示了各层量子点的形成。可以看到各层量子点沿生 长方向呈现较好的垂直对准，并且量子点的尺寸也随层数的增加而趋于均匀，这一现象己被Tersoff 等人解释、并预言过 “。从TEM像我们测得量子点的平均尺寸:直径为60nm,高度为 12nm,与文 23 献10(直径为30nm.高度为6-7nm)相比.量子点的尺寸变大 图1是样品在 IOK下的PL光谱，进一步证明了遥子点的形成ePL光谱的峰值能量为 1.23meV, 0o..o10s-- 0.09一 口 ，..- 月 0力5~ C O力3-