利用等离子体聚合的方法,大面积制钥有机硅薄膜.pdfVIP

利用等离子体聚合的方法,大面积制钥有机硅薄膜.pdf

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利用等离子体聚合的方法,大面积制备有机硅薄膜 王东宝 葛袁静 张广秋 陈思光 北京印刷学院应用物理研究室 1〔02600) 摘要 :利用等离子体聚合方法制备有机硅薄膜,所制备的薄膜具有低的 表面自由能,耐磨和抗腐蚀. 一、前言 在现代印刷工业中,应用着一种特殊的印刷版,这种版必需具有低表面 自由能, 耐磨和抗腐蚀。为了寻求制造这种版的方法,并参考其它一些文献 [1.27,我们用等 离子体聚合技术制备了这种版,也获得了一些有用的结果。在这篇文章中将详细报 告这些实验结果 。 二、实验装置和诊断 本实验所用的装置是RF辉光放电设备,如图1所示 。真空室为60cmX50cmX30cm 长方形结构,使用K-200扩散泵机组,本底真空可达2X10mmHg(约2.67X10-Pa), ︵ 侧 已 ︶ 1 图1.实验装置 1.电源 2.真空室 3.等离子体 a.样品 图2.。。等离子体中朗谬探 5.抽气系统 6.充气系统 7.探针 针测t的伏一安曲线 充气是用两个质量流量计控制的。工作压强在 30-50Pa,放电电源是 500W,13.6MH2 射频功率源 。下极板采用水冷 。所用的工作物质为八甲基环四硅氧皖(D,),用 IR,XPS 和测量接触角来测试所制备样品的特性。 313 刃 | 等离子体电子温度 (TO,离子密度 (Ni),等离子体势 (Vp),是采用朗谬探针测量 的。制备聚合薄膜时探针的电流、电压曲线如图2所示。由特性曲线中间一段直线 的斜率,可求出Te。在放电功率为80W,放电气压为40Pa时,测得聚合时的电子温度 (Te)为 4.96eV.离子密度 (Ni)为 1.3X10em 等离子体势 (Vp)为 25.8V, 三、实验结果 通过实验,我们发现仅仅在某些特定的实验条件下方能形成好的薄膜。如果改 变条件,则聚合产物将会 出现粉末和油状物 。不同的聚合条件及所合成的产物列于 表 1中。 表 1 反应产物及其所对应的实验条件 样 品号 P(Pa) d(cm) I(mA) T(min) 产物 14一17 40一50 1.0 60-80 10一30 薄膜 8一13 40-70 一 } 60-80 10一30 一} 粉末 } 1.5-3.0 } 12一19 10-30 一 60一70 }I 1.0 }} 60-80 }油状物 在表 1中,d是电极间距离,I是电 流,T是反应时间。 从表 1中可以看出,在我们所做的实 验条件下,电极间的距离和工作压强对产 物的形成是很重要的。当 d,I一定时,P 为 40-50Pa,则放 电产物形成薄膜.P为 60-70Pa,则产物为油状物 ;当 P,I和 t 一定 时,d=1cm 时产物 为薄膜 ,但 当 d=1.5-3cm时,产物为粉末。所有这些说 明对于一个特定的设备,制备出薄膜,要 有特定的工作条件 。 从图 3(a-d)中可以看 出不同产物的 化学结构。在图3中,a是 D;的 IR光谱, 可 以看 山 ,它 在 波 数 为 1080cm-, 1260cm-,2980cm-, 处有三个特征峰

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