KMC模拟薄膜生长反常效应的研讨.pdf

KMC模拟薄膜生长反常效应的研究 29 KMC模拟薄膜生长反常效应的研究 SimulationofAbnormalEffectinFilmGroeth KMCMethod Using 郑小平1’2，张佩峰1”，贺德衍3，郝远2 (1兰州城市学院电子信息科学与技术研究所， 兰州730070；2兰州理工大学甘肃省有色金属新材料重点实验室， ZHENG Yuan2 De-yan3，HA0 Xiao-pin91．-，ZHANGPei—fen91一，HE (1InstituteofElectronicInformationScienceand Technology， State LabofAdvanced Lanzhou 730070，China；2 CityUniversity，Lanzhou Key of Non—FerrousMaterials，GansuProvince，Lanzhou 730050， UniversityTechnology，Lanzhou of Scienceand 730000，China) China；3School University，Lanzhou Physics Technology，Lanzhou 摘要：以扩散理论基础，建立以“基本微观过程”为核心的新模型，首次对存在表面活化剂时薄膜生长的微观过程进行 KINETIC MONTECARLO模拟。模拟发现，温度较低时沉积原子自身更容易聚集成核，这一反常效应是由于表面活化 剂原子比沉积原子更容易被激活扩散造成的。活化层原子和沉积原子都会发生跨层问的扩散，交换比并非恒等于1，而 是与温度、入射率、成膜厚度等多种因素有关。 关键词：KMC；薄膜；反常效应；交换 中图分类号：0484文献标识码：A 文章编号：1001-4381(2008)10—0029—03 consists Abstract：Onthebasisoftheclassicdiffusionwehaveadvancedanovelmodel，which theory the ofsurfactant—mediated ofthebasic havesimulated epitaxial micro—processes，．and growingprocess thin-film wit