高功率发光二极管封装结构的热分析研究.pdfVIP

中国工程热物理学会 ·传热传质学 学术会议论文’ 编号：073368 ． 高功率发光二极管封装结构的热分析 曹阳于新刚梁新刚 清华大学航天航空学院，北京lo0084；传热与能源利用北京市重点实验室 Tel：010803； 摘要： 随着白光发光二极管(LED)功率的不断提高，它面临着越来越严重的散热问题。为了对器 件的散热进行优化设计，本文建立了单芯片和多芯片LED的热分析三维数值模型，计算了LED器件热 阻，并通过对芯片下层粘结剂热导率和绝缘层表面积与厚度对LED热阻的定量分析指出，它们是目前 影响LED封装热阻的关键因素· ． 关键词：LED热分析数值模拟 ●—^』--J— l刖舌 近年来，以白色发光二极管(LED)为光源的固体照明得到了广‘泛应用。与传统光 源相比，它具有理论光效高、寿命长、体积小等优点【lJ。目前，白光LED的发光效率还 比较低，超过80％的输入能量会转换成热【2】。如果这些热量不能及时散出，将导致芯片 温度升高，使LED的发光效率下刚31、寿命缩短【41，器件内部热应力甚至可能拉断连接 芯片的金线。因此散热己经成为大功率LED设计中的一个重要问题。为优化器件散热 结构，首先应该对器件进行系统的热阻分析。 近年来高功率LED封装结构的温度场得到了广泛研究【5。91，但是这些研究大都利用 一维导热热阻模型估算LED器件热阻，不能准确、细致地反映热量传递过程中的三维 效应和不同结构之间的相互影响，对实际封装过程指导性不强。本文选取了单芯片与多 芯片两种LED器件作为研究对象。在对器件进行解剖和细致的结构分析后，建立了两 种器件的三维热分析数值模型。利用该模型计算了LED总热阻，并定量分析了影响器 件热阻的因素，提出了改进器件散热性能的一些措施。 2几何模型 W 本文选取了OSRAM公司的LE LUNXoN 图2是它的三维简化几何模型。 图1多芯片LED示意图 图2多芯片LED几何模型 图3为单芯片LED的基本结构示意图，图4是它的三维简化几何模型。其结构与 多芯片LED类似，只是芯片采用“倒封装”方法，即蓝宝石衬底在氮化镓层的上面。 71 模型中忽略了铝热沉外侧的塑料外壳和电源引线。 图3单芯片LED示意图 图4单芯片LED几何模型 由于两个器件的发热量较高，因此模型中将两个器件分别放置在厚2mm，边长分 别为70mm和50mm的正方形散热板上散热。 表l、2分别列出了两种LED模型各层的尺寸、材料与热导率。 ， ， 表l多芯片LED各部分结构的尺寸、材料与熟导率 几何尺寸，mm 结构名称 材料 导热系数，Wm-1K- (长，宽，高) 配光帽(A) 3．5，7．5，10．O 环氧树脂 0．2—0．3(o．3) 芯片发光层(B．1) 1．O，5．O，O．0l 氮化镓 110～130(1lO) 芯片衬底(B．2) 1．O，5．0，O．10 蓝宝石