pH值对ULSI硅衬底抛光速率的影响研究.pdfVIP

』皇-————————～～ 丝 丝 丝 鳖 !!!!芏堂型型鲨 pH值对ULSI硅衬底抛光速率的影响’ 牛新环，王胜利，檀柏梅，刘玉岭 (河北工业大学信息工程学院。天津300130) 摘要：ULSI制造技术进一步向高集成、低成本方最好的方法[6“]。 向迅速发展。如何保证ULSI村底加I中的更高平 CMP整个过程是在抛光机上下盘相对旋转，在一 整、更低祖糙度与低成本是目前微电子进一步发展中 定压力、温度、确定抛光布及一定磨料与性能抛光液下 的关键技术。化学机械抛光法(CMP)是目前公认的的化学机械复杂过程[1。““。但CMP涉及到机械学、 全局平面化最好的方法。由此我们对ULsI硅衬底进流体力学、物理化学、材料摩擦学等多学科，至今对其 行了循环抛光试验，并对每次抛光液循环使用后的去 动力学过程及控制过程仍不太清楚。目前用得最多的 除速率及pH值进行了洲定，结果发现pH值随循环 次数的增加呈缓慢降低的趋势，而抛光速率在一定的 为压力，y为抛光垫与晶片的相对转速)，但它只从机 pH值范围内并不随pH的变化而变化，这说明在硅衬械作用的角度定性地给出了去除速率与压力和转速的 底的cMP过程中化学机械反应是复杂的过程，分主 关系。而化学作用应更复杂，影响更大。而碱性强弱 反应和次反应，而主反应应是催化反应，次反应是氧化 是影响化学作用的关键性因素。通过循环实验pH值 还原反应，本文对该理论进行了具体的讨论。 的变化对其化学作用的深人了解，对实现ULSI硅衬 关键词：硅聿寸底；去除速睾；pH值；抛光液；有机碱 底加工的高平整度、低粗糙度、高效率、低成本具有极 中图分类号：TGl46．4 文献标识码：A 其重要的意义。 文章编号：1001—973l(2006)增刊一0336—03 2实验 1引言 集成电路技术发展遵从摩尔定律，工艺线宽越来越 抛光液磨料选用SiO。，浓度4％(质量分数)，SiO：粒径 缅，并开始进入纳米时代。当前，国际主流生产技术为 3。～40hm，由ZetarsizerHS3000激光粒径测试仪测 0．25～0．359in，先进生产技术为0．13～0．109m，90hm定，粒径分布如图l、2所示。 技术己开始投入小批量生产，并研究成功65nm技术。 按照国际半导体产业发展路线图预测，2010年将采用 45rim技术，2016年和2018年将分别发展到22和 18rml。半导体硅衬底材料也正从200mm迈向300tI=an 直径。130hm以下的集成电路将主要使用300ram直径 的硅片，目前它的制备技术正日臻完善，以适应纳米集 成电路的严格要求。而抛光是集成电路制造过程中非 常重要的也是难度较大的一个环节。如何保证ULSI衬 图1 二氧化硅水溶胶分散度图 底加工中的更高平整、更低粗糙度与低成本是目前微电 1 of The silica Fig dispersiondegree hydrosol 子进一步发展中的关键技术。然而．在ULSI中硅单晶 做衬底仍为80％以上。实现ULSI制备中器件高集成、 高可靠，必须满足光刻所需的高平整、低粗糙度，满足该 要求最佳方法为碱性介质下的化学机械抛光方法 (CMP)c1～∞。化学机械加工方法是新兴起的能对固体 材料表蕊实现高精密加工有效方法。 化学机械全局平整化(CMP)技术是通过机械作 用与化学作用相互匹配共同作用，并使固体表面达到 图2 30～40mn Si02溶脏颗粒TEM彤貌 加工平整度最高、粗糙度最小之目的