第十六章 新技术的物理基础.pptVIP

四、半导体 本征半导体是指纯净的半导体。 杂质半导体是指掺有杂质半导体。 电子导电——半导体的载流子是电子 空穴导电——半导体的载流子是空穴（满带上 的一个电子跃迁到空带后,满带 中出现的空位） Si Si Si Si Si Si Si P 1、 n型半导体 在四价元素中掺入少量五价元素，形成n型半导体。 导带 施主能级 满带 Si Si Si Si Si Si Si 2、 p型半导体 在四价元素中掺入少量三价元素，形成p型半导体。 B 导带 受主能级 满带 3、p-n结的形成 由于n区的电子向p区扩散，p区的空穴向p区扩散，在p型半导体和n型半导体的交界面附近产生了一个电场 , 称为内电场。 p-n结 n型 p型 导带 禁带 满带 p-n结的单向导电性 在p-n结的p型区接电源正极，n区接负极 阻挡层势垒被削弱、变窄，有利于空穴向n区运动，电子向p区运动，形成正向电流。 p型 n型 I U（伏） I （毫安） O 在p-n结的p型区接电源负极，n区接正极。 阻挡层势垒增大、变宽，不利于空穴向n区运动，也不利于电子向p区运动。 U(伏) I （微安） p型 n型 4、半导体的其他特征和应用 热敏电阻 半导体的电阻随温度的升高而指数下降，导电性能随变化十分灵敏。 热敏电阻体积小、热惯性小、寿命长 光敏电阻 在可见光照射下，半导体硒的电阻随光强增加而急剧减小，但要求照射光的频率大于红限频率。 温差电偶 将两种不同的半导体组成回路，两个接头处于不同温度，回路中将产生温差电动势。 n型 p型 热端 冷端 负载 电流 电流 电势差增加，半导体内电场也增强，阻止载流子扩散，最后达到平衡。 16-8 超导电性 1911年昂尼斯（K.Onnes）发现超导现象。 一、超导的基本特性 1、零电阻效应 某些金属、合金及化合物的温度低于某一值时，电阻突然为零。 说明：只有稳恒电流的情况下才有零电阻效应。 超导体 临界温度Tc 2、迈斯纳效应（完全抗磁性） 处于超导态的超导体内磁感应强度总为零。 外磁场 抗磁电流磁场 总磁场 3、临界磁场和临界电流 超导态能被足够强的磁场所破坏。 超导体所能承载的电流也受限制。 超导材料只有满足下述条件才能处于超导态 * 16-5 激光原理 Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation Laser——受激辐射光放大 一、激光的基本原理 1、自发辐射与受激辐射 光与原子体系相互作用，同时存在吸收、自发辐射和受激辐射三种过程。 自发辐射 在没有任何外界作用下，激发态原子自发地从高能级向低能级跃迁，同时辐射出一光子。 满足条件：h?=E2-E1 随机过程，用概率描述 N2——t时刻处于能级E2上的原子数 ——单位时间内从高能级自发跃迁到 低能级的原子数 A21——自发辐射概率（自发跃迁率）：表示一个原子 在单位时间内从E2自发辐射到E1的概率 自发辐射过程中各个原子辐射出的光子的相位、偏振状态、传播方向等彼此独立，因而自发辐射的光是非相干光。 受激辐射 处于高能级E2上的原子，受到能量为h?= E2- E1的外来光子的激励，由高能级E2受迫跃迁到低能级E1，同时辐射出一个与激励光子全同的光子。 频率、相位、偏振态、传播方向等均同 随机过程，用概率描述 ——单位时间内从高能级E2受激跃迁到 低能级E1的原子数 B21——受激辐射系数（由原子本身性质决定） W21——表示一个原子在单位时间内从E2受激辐射 跃迁到E1的概率 ? (?,t)——辐射场的能量密度 受激吸收 能量为h?= E2- E1的光子入射原子系统时，原子吸收此光子从低能级E1跃迁到高能级E2。 N1——t时刻处于能级E1上的原子数 ——单位时间内由于吸收光子从E1跃迁 到E2的原子数密度 W12——受激吸收跃迁概率 B12——受激吸收系数 ? (?,t)——辐射场的能量密度 2、粒子数反转 激光是通过受激辐射实现光放大，即要使受激辐射超过吸收和自发辐射 根据玻尔兹曼能量分布律 热动平衡下， N2??N1，即处于高能级的原子数大大少于低能级的原子数——粒子数的正常分布 受激辐射占支配地位?粒子数反转 高能级上的粒子数超过低能级上的粒子数 实现粒子数反转的条件： ?要有实现粒子数反转分布的物质，这种物质具有 适当的能级结构； ?必须从外界输入能量，使工作物质中尽可能多的 粒子处于激发态。（激励或泵浦）