环境气体对激光烧蚀制备纳米Si晶粒平均尺寸的影响研究.pdf

环境气体对激光烧蚀制备纳米Si晶粒平均尺寸的影响 247 环境气体对激光烧蚀制备纳米Si晶粒平均 尺寸的影响 InfluenceofAmbientGas0n SizeofSi Average Nanoparticles PulsedLaserAblation Depositedby 王英龙，张恒生，褚立志，丁学成，傅广生 (河北大学物理科学与技术学院，河北保定071002) WANG Li—zhi，DING Ying—long，ZHANGHeng—sheng，CHU Xue-cheng，FUGuang—sheng of Scienceand 07 (CollegePhysics Technology，HebeiUniversity，Baoding 摘要：采用脉冲激光烧蚀装置，在不同环境气体下，沉积制备了含有纳米Si晶粒的薄膜。利用扫描电子显微镜(SEM) 观察样品的表面形貌，并对晶粒尺寸进行统计分析，发现不同环境气体下，纳米si晶粒平均尺寸均随衬底与靶的距离增 加有着先增大后减小的规律；通过分析比较，同等条件下Ne气环境下制备的纳米Si晶粒平均尺寸最小。 关键词：脉冲激光烧蚀；纳米Si晶粒；平均尺寸；环境气体 中图分类号：0484．1文献标识码：A 文章编号：1001—4381(2008)10-0247—04 Abstract：The siliconfilms were by laserab— nanocrystallinecontainingnanoparticlespreparedpulsed lationindifferentambient oftheSifilmwasobserved electron gas．Surfacemorphology byscanning wasfoundthatthe sizeofSi indifferentall microscopy(SEM)andaverage nanoparticlesprepared gas thesubstrate increased andthendecreasedwithdistancebetweenthe and initially target increasing． ofSi thesmallestundertheconditionofNeambient The size was average nanoparticles gas． laser ablation；Si size；ambientgas Keywords：pulsed nanoparticle；average 包含纳米Si晶粒的Si薄膜因具有良好的发光效 应而在电子发射、单电子隧穿及大规模集成电路等领 脉冲重复频率为3Hz，激光能量密度为4J／cm2)作光 域有着广阔的应用前景[1]。目前，人们已采用多种技 源。当真空反应室的真空度达到2×10_4Pa后，充入