离子后处理技术对氧化锆薄膜的改性研究.pdfVIP

离子后处理技术对氧化锆薄膜的改性 张东平 张大伟 范树海 赵元安邵建达范正修 (中科院上海光学精密机械研究所薄膜中心 上海 201800) 摘要：用低能氧离子对电子束热蒸发方法沉积氧化锆薄膜进行了后处理．通过对其光学性质、 抗激光辐照，弱吸收、表面捆糙虞厦缺陷密度等性质的表征，比较处理前后薄膜的各项性质，发现 经离子后处理的氧化皓薄膜的折射率、消先系数．表面粗糙度。吸收率及缺陷密度等均有所降低， 薄膜的激光损伤阈值较未处理样品有较大提高．x射线分析表明离子后处理的样品其微结构也发生 微弱变化．对离子后缝理技术对薄膜改挂的机理进行了分析探讨． 关键词：薄膜；离子后处理 1．引言 在现代各种光学系统中，优良的薄膜元件是实现光学系统性能的必要条件．薄膜元件的性能将 直接影响着光学系统的整体性能．对于薄膜元件的镀制．由于沉积工艺等因素的限制，有时其性能 不能完全满足系统的要求，这时通常采用的方法就是对制备好的薄膜采用某种技术进行后处理，使 其某些性能得到一定的改善， 如退火【”、激光预处理口1和离子后处理嘲等等。离子后处理作为一种 新型的表面改性技术已经应用于多种材料表面的改性，它是采用特定的能量离子轰击材料表面，在 表面产生浅层离子注入效应；同时离子的轰击将使表层原子获得足够的能量产生再构，从而使表面 性质得到改善[41。从根本上说，材料所展现的多种表面物理和化学性质很大程度上取决于表面层的 性质，只要离子束轰击有效地改变表面层的性质，那么材料表面就会表现出改性的效果，而且在表 面层以下仍然保持原有材科的性质。尽管离子后处理技术已经在表面改性方面已经取得了较好的效 果t但是对于采用离子后处理技术来进行光学薄膜的改性至今在国内外的文献中均未见报道．薄膜 不同于普通体材料表面，其结构较疏松，且厚度有限，对于薄膜材料的离子后处理应有别于普通体 材料表面的离子后处理，因此本文的工作具有重要的现实意义。 本文中作者以氧化锆薄膜为例，用End-Hall1000新型霍尔源发射的低能氧离子对薄膜表面迸行 后处理。通过薄膜的折射率、消光系数、表面粗糙度、激光损伤阙值、弱吸收的表征，对离子后处 理后氧化锫薄膜性能的改变进行了研究． 2．实验过程 在K9玻璃基底上用电子束热蒸发方法沉积了氧化锆薄膜．烘烤温度为3001：。烘烤时间为2h。 本底真空为3．5Xl旷Pa，蒸发真空5．0X10aPa。充气种类为氧气．沉积时电子束流110mA。薄膜厚 度为400nm．将制备的样品分成两部分，一部分直接进行以下各项测试，另一部分先进行离子后处 理然后进行各项测试。 基于作者前期基片的离子清洗工艺基础之上的川．离子源到基片距离为40cm，工作气体为高纯氧气 电压和电流分别为120V和3A．离子束与基片法线夹角为～30。． 在Nomarski显微镜暗场F对处理前后的样品表面缺陷密度进行测量．每个样品表面随机测量5 点，测量中以直径人j5岫的缺陷为准。我耵】采用表面热透镜技术分剐对处理的样品表面弱吸收进 样品表面，光斑直径～400¨m。实验时每个样品表面的不同部位测量10点．然后取平均作为该样品 PSIA 的弱吸收大小。对所制各的样品用Lambda900分光光度计对其透射率进行测量I=HXE．100犁 RIGAKU／MAX．3C 原子力显微镜分剐对样品表面形貌和粗糙度进行测量，测量范围为6)anx6ttrn。Hj 型x射线衍射仪对样品进行了物相分析．采用Cu的Ka线．辐射波长为0．15406nm． 微摄像头对损伤情况进行实时监测。 图1薄膜弱吸收测量装置示意图 图2离子后处理前后薄膜表面缺陷密度 3．结果与分析 图2给出了暗场显微镜下测得的Zr02薄膜离子后处理前后表面显微缺陷密度的测量结果。A1～ A5为离子后处理前样品表面任意五点的缺陷密度，BlaB5是离子后处理后样品表面任意五点的缺 陷密度。可以看出离子处理前缺陷密度平均约为18．64-／ram2，离子处理后缺陷密度平均约为6．2个 ／ram2，缺陷密度较离子处理前明显降低。这是由于薄膜的显微缺陷大都为薄膜沉积中是喷溅产生的， 其大小一股在微米量级，随着薄膜的不断沉积而在薄膜表面形成的微小凸起。它们一般和薄膜的结 合较弱．因此在低能离子下很容易