管道缺陷参数与漏磁场的关系研究.pdfVIP

管道缺陷参数与漏磁场的关系木 范伟 何辅云 陈文明 合肥工业大学计算机与信息学院，合肥230009 摘要：常用的磁荷模型有点荷模型、带荷模型、长方体模型、圆柱体模型、以及半圆模型等。这 些模型都有其局限性，也就是只能模拟某一类缺陷，而对其他类型缺陷不适用。为了克服这种局限性， 本文提出一种椭圆柱模型，它能模拟多类缺陷。并在此模型的基础上，对影响缺陷漏磁场的各因素进 行了分析，得出了缺陷与对应的漏磁场之间的关系，并通过实验对缺陷与漏磁场之间的关系进行了验 证。 关键词：管道缺陷参数漏磁场 l引 言 随着国内外工业的迅猛发展，铁磁性管道系统的应用越来越多，管道缺陷的检测和诊断对管道的安全 运行有着重要意义【1．3】。实现缺陷的定量检测成为当今漏磁检测领域的研究热点【41。在实际管道检测中缺陷 的形状是不规则的，要用物理实验的方法，来研究缺陷漏磁场的变化规律具有很大的难度【51。随着计算机 技术的发展，利用计算机对缺陷进行辅助分析，使得漏磁信号定量分析成为可能。目前采用的方法是：先 建立缺陷模型，在此基础上分析漏磁信号与缺陷的关系‘61。 2磁荷模型的建立 2．1椭圆柱磁荷模型 根据磁偶极子理论：铁磁性工件在外磁场的作用下，其中的缺陷会在垂直于磁化场方向的两侧壁上分 布极性相反的磁荷。如图l所示，在柱体的两壁产生正负性磁荷。缺陷漏磁场就是这正负磁荷形成的磁场 的叠加【71。 图l缺陷模型 ’基金资助：国家科技部基金项目(07C26213400525)． 作者简介：范伟(1983．)，男，合肥工业大学硕士研究生，研究方向为信号检测系统；何辅云(1949-)，男，合肥工业大学教授， 研究方向为信号检测与信息处理． 图l的缺陷模型l}1椭圆的长轴为a与x轴重合：短轴为b与y轴厦合；椭圆柱的高为d；椭圆柱上：表 面。}-心是i维坐标的原点。磁化场的方向与y轴平行。为了后I可计算的方便，做以下假定：缺陷蹙内磁倚 密度6均匀分布，数值为l；缺陷所在的材料的导磁率是均匀的；缺陷J爿阿无其他磁源。 椭圆可用榭晰粝沩：尸乃蕊而面可丽’其郫为极扭嗍鼢。缺陷 壁内微小单兀上的磁荷量司表不为d仃=印d臼出。任传感器的提离值为定值厅时，拈住点(并，J，，^)处产牛 的磁场强度d万为： d万：兰·； 其中≯为点(工，弘办)钊d盯的向量，正负磁荷到检测点的向量可分别表示为： ；+=(x—pcos(秒)F+(y+psin(p))了+(办一z))乏 ，．一=(x—pcos(乡))f+(y—psin(臼))／+(办一z))尼 检测点的磁场强度是正负磁荷形成磁场强度的叠加，z和y方向的磁场强度为： dH z=d峨+dH： dH y=dHj+dHj 积分后得到： 炉去弛c瓦忑而篇去丽 一——————丝兰L———可】捌秒 【(x—pcos(秒))2+(y—psin(臼))2+(Jfz—z)2】乃 q2去弛t瓦赢#筹鬻品 【(x—pcos(臼))2+(y—psin(口))2+(向一z)2】兄 一————j业兰堕盟L—一】比d秒 上式中尸乃忑而面可忑两再㈡是传感器提离值。 2．2椭圆柱模型对多种缺陷的模拟 从图2可知，各类缺陷形成的漏磁场Hy，Hz分量有以下特征：Hz分量在缺陷的边缘处各有一个极性 相反，大小相同的峰值，且在缺陷的中心处为零；Hy分量关于缺陷的中心对称，在缺陷的边缘处各有一个 大小相等。极性为负的峰值。Hy，Hz的特征与缺陷的参数之间有对应关系，可以用椭圆柱模型对缺陷参 管道缺陷参数‘j漏磁场的关系