基于三阶非线性光学技术的无损信息读出方法研究.pdfVIP

中国感光学会2008嚣银盐影像技术及材料发展与应用学术研讨会论文集 基于三阶非线性光学技术的无损信息 读出方法 陈子辉1，牛丽红1，董思达1，周心玉1，陈锡桥2，张复实1 (1．清华大学化学系有机光电子与分子工程教育部重点实验室，北京100084； 2．澳门大学科技学院，澳门) 摘要：光致变色化合物作为光子型存储介质，理论上可以实现单分子的存储水平和皮秒级 的响应速度。在信息写入前后，光致变色化合物的二阶非线性光学性能发生变化。检测其光 异构化前后三阶非线性光学性能的改变来读出信息可以避开分子的光活性区域，同时又有很 高的灵敏度，因而是一种有效的无损信息读出手段。此外，本文还探讨了基于此无损读出手 段的光子型存储光盘的结构设计。 关键词：光子型存储：无损读出； 三阶非线性光学；光致变色 1引言 光盘信息存储可分为光热犁存储模式和光子型存储模式。前者记录信息主要是利用聚焦 激光的热效应在存储介质的表面微区产生物理／或化学反应米完成…，后者是利用光诱导的 光化学反应，无须通过光热转化而直接达剑光信息存储的目的【2J。相比与光热型存储，光子 型存储有望实现更高的分辨率和写入速度，从理论上来说可以接近单分子存储水平和皮秒级 的响应速度pJ。此外利用光的波长、相位、偏振等性质还可以实现多维存储【4J，是一种理想 的超高密度，超快速存储模式。光子型存储中用到的存储介质一般是一些光致变色化合物， 包括螺吡喃、偶氮、俘精酸酐、二芳基乙烯等。如图1所示，这些光致变色化合物在合适波 长光的作用’F，可以可逆的从一态(A)转化为另一态(B)，同时吸收光谱发生明显的改变， 利片jA，B两态间的吸收波长或反射波长的差异即可实现信息的写入和读出。但是这种读出 方法所采用的光必然要处于A，B的光活性区域，在读出信息的过程中，由于这类分子具有 可逆光致反应的性质，读出光束就会诱导信息点存储介质发生可逆的光异构化反应，从而使 得写入区和未写入区之间的信息对比度不断降低，经过多次读出后，写入信息全部被破坏例 这种破坏性的读出方法是阻碍光子型存储不能够实际应用最重要的原因。这些年米，关于信 息无损读出的研究一直是光存储领域的研究重点。截至目前已有多种理论上可行无损读出方 法见诸报道，包括双波长无损读出16J、门控化学反应无损读出方法17l、中红外无损读出方法瞄J， 荧光无损读出方法【9J、旋光无损读出方法【loJ。总的米说，该研究总的研究思路是利用光致变 色化合物变色前后除吸收光谱外的其它物理参数的改变。这些研究丰富了光致变色化合物的 研究内容，但是真正应用却面临很大的困难。最近我们组lllJ报道一种新的无损读出的方案， 在这个方案中，我们设计了一种酞菁．光致变色二芳烯二元体系。二芳烯作为写入单元记录 信息，酞菁作为读出单元。二芳烯的异构化前后电子结构的可逆改变影响酞菁的吸收光谱， 检测酞菁吸收光谱的改变就可以读出信息。这种方案可以推广到很多发色团．光致变色二元 体系中，只要光致变色单元的异构化能够影响发色团的吸收光谱，并且该发色团的吸收不与 光致变色单元的光活性区域完全重合，理论上就可以利用已有的光盘读写系统，实现光子型 通讯联系人：张复实，E—mail：zhangfs@mail．tsinghua_edu．cn 2 中国感光学会2008非银盐影像技术及材料发展与麻用学术研讨会论文集 的无损信息处理过程。本文将提出一种新的无损读出策略，即基于信息存入前后，存储介质 三阶非线性光学的改变来读出信息。该检测方法即可以高灵敏度的读出信息，又可以有效的 避免材料的光活性区域，达到无损读出的目的。此外，本文对此技术支持下光盘结构，存储 材料也做了一定的探讨。 hvl A育B 图1 光致变色化合物的变色示意图 2基于三阶非线性光学技术的信息无损读出方法 2．1理论依据 非线性光学是研究在强光作用下物质的响应与场强的非线性关系的学科，是现代光学的 一个新领域【l甜。在线性光学范畴内，在线性光学的范畴内，光在介质中引起的极化强度P 与光电场E的关系为：P=EoXE，即极化强度与电场强度成简单的正比关系。而对于非线性光 学过程，必须考虑光电场E的高次幂对极化强度P的影响。当光电场E很强时，其宏观极 化强度P可表示为：lI’