铋层状结构压电材料的掺杂改性研讨.pdf

2005年10月 四川大学学报(自然科学版) Oct．2005 of Sdence V01．42Issue2 Sichuan Edition) 第42卷增刊2 Journal University(NaturAl 文章编号：0490．6756(2005)oz,2．0225—05 铋层状结构压电材料的掺杂改性研究 李永祥1，杨群保1，曾江涛1一，易志国1，2 (1中国科学院上海硅酸盐研究所·高性能陶瓷和超徽结构国家重点实验室，上海200050 2．中国科学院研究生院，北京100390) v5+和vr6+取代部分B位的Tp+的掺杂改性，研究了不同掺杂元素及掺杂位置对材料结构和 性能的影响．结果表明，A位和B位均能通过提高剩余极化和降低矫顽场，来改善陶瓷的压电 性能；A位比B住有更高的掺杂圉溶量，可获得更好的铁电和压电性能，剃余极化2只高这 pC／N． 20．4／1C／ern，压电常数d33高速20 关键词：铋层状铁电材料；CaBhTh015；掺杂改性；压电性能 中图分类号：n位21 文献标识码：A 引言 传统的PZT系列压电陶瓷在驱动器、传感器等领域担负着非常重要的角色，但由于居里温度低，使其 应用局限在较低温度区域，与之相比，铋层状结构压电陶瓷因居里温度高，而在高温压电(高温压电加速度 计和高温压电流量计等)方面有着广阔的应用前景． 但是其结构的限制，自发极化转向受到二维限制，压电活性较低．为此对该陶瓷晶体结构的A位和B位进 化(P，=12pC／cm2)[2 BIT的压电常数d33高达19pC／N[…． 的原子半径较小，有助于保持高的居里温度．Nd3+掺杂BIT的研究已经有了大量的报道，但很少见到 集中在m=2，3的铋层状结构化合物中，在m=4的铋层状结构压电材料中很少有相关报道．因此本文 能的影响． 2实验过程 偿铋的挥发，Bi203添Jlll 收稿日期：2005，08—31 基金项目：国家“863”计划基金(2001AA325070)和国家。973”计埘基金(2002CB613307) 作者简介：李永祥(1963～)，男，博士，教授．E-mail：y】cli@H础．萄c．8c．crt． 四川大学学报(自然科学版) 第42卷 2000 80。)测定其晶体结构；利用TFAnalyzer 回线；最后，利用zJ．3A型准静态d33测量仪器测量试样的压电系数d” 3结果与讨论 3．1 A位掺杂Nd3+对CBT陶瓷电学性能的影响 口Hr_z)，其中口代表空位． 3，1+1 线及其剩余极化2Pr随掺杂量的变化关系．CBNT-x陶瓷的剩余极化随着掺杂含量的增加先增大，随后 陶瓷剩余极化增加了80％的．同时陶瓷的矫顽场略有提高，从纯CBT陶瓷的78kV／cm提高到CBNT-0． 25的83kV／cm． 妒 名缪≯一缓矿 多 名 矿 J 矿 翻! 『 叠雩 勿 r ∥∥ l一 ∞∞mI O ∞mm∞ 白。由bFl喇水州bn) (a) (b) 困1 CBNT—z陶瓷的电滞田践．(a)厦其2P，随掺杂量的变化(b) Hystemsis CB