微光与红外夜视技术.pptVIP

微光与红外夜视技术 1. 引言 夜视技术的军事应用需求 马岛战役、海湾战争、波黑战争、科索沃战争和阿富汗战争等使人们看到微光与红外夜视技术在现代化战争中的重要地位，成为衡量各国武器装备水平的重要指标之一； 军队夜视化是我国国防建设和武器装备发展的重要内容，夜视与红外技术的发展和应用进入一个新的阶段； 红外成像技术是高新技术的重要组成 红外成像技术成为高科技研究和应用领域最主要的图像信息获取手段之一 在民用、公共安全等领域具有重要的应用，并不断开拓新的应用领域 夜视技术的内涵 1. 引言 夜视的实现途径 微光与近红外夜视技术 微光像增强器技术 ? 像增强器、ICCD等 BCCD、EBCCD、EMCCD等 真空型近红外成像技术 ? 红外变像管 固体型近红外成像技术 ? CCD、红外探测器 短波红外成像技术 短波红外成像技术 红外热成像技术 制冷型热成像技术 非制冷型热成像技术 微光/近红外夜视技术 微光夜视技术的分类 主动红外成像技术 红外变像管+红外照明 黑白CCD+红外照明 微光像增强器技术 增强CCD技术（ICCD） 像增强器+中继光学系统+CCD器件 像增强器+光纤耦合器+CCD器件 背照CCD (BCCD)技术 电子轰击CCD (EBCCD)技术 电子倍增CCD(EMCCD)技术 微光像增强器 零代微光像增强器技术 一代级联式像增强器技术 采用微通道板(MCP)的二代像增强器 采用III-V族光电阴极的三代像增强器技术 超二代像增强器技术 超三代像增强器技术 第四代像增强器技术 三代像增强器技术的发展 阴极灵敏度由1000μA/lm上升为Omni IV(超三代)的1800 ~ 2000μA/lm，探测量子效率在较宽的光谱范围内已优于30％ 光电阴极红外延伸至1.1μm以上，既可观察到Nd:YAG激光测距和目标指示器1.06μm的红外光，又可利用红外激光实现辅助照明和选通。 Omni II?III ?IV的MCP孔径12μm ?8μm和9μm ? 6μm ，对应的像管分辨率从36lp/mm ?45~50lp/mm ? 64lp/mm。 低噪声性质使得系统有了更好的信噪比，采用Omni IV的系统探测距离比采用二代像增强器的系统提高50％ 第四代像增强器技术 无膜像增强器 第四代像增强器涉及一种新的光电阴极，光谱响应延伸到1.6μm，可充分利用夜天光辐射，并与1.55μm人眼安全激光相匹配，提高夜视系统的实用性能。 超二代像增强器的发展 XD-4像增强器 光电灵敏度700 μA/lm， 分辨力64lp/mm XR-5像增强器 三代/超二代像增强器的比较 像增强器的整管性能 增强CCD(ICCD)器件 成像过程：光子?光电子? (电子倍增) ? 光子?电子； ICCD技术 一代ICCD具有较高的分辨力，二代ICCD已产品化，三代和超三代ICCD已成为商品。光纤面板、光锥及光纤倒像器的广泛使用。 CCD厂家可提供去玻璃的CCD组件 众多模拟/数字的CCD/CMOS成像器件, 发展系列化/高性能ICCD器件 光学耦合方式在一些应用中仍有较好的市场需求。 背照明BCCD器件 成像过程: 光子?电子, 成像环节少, 成像分辨力高； 美国BCCD与近贴型(GaAs光阴极)EBCCD上获得巨大的进展, 已有BCCD摄像系统产品推出。 BCCD通过背面照明来收集电荷，成像光子不需要通过多晶硅门电极进入CCD，克服了前照明CCD的性能限制，其量子效率在可见区内可达90%，约为GaAs光阴极量子效率的500%。 在850~1000nm内(与夜天空的辐照相匹配)仍有很好的响应，而GaAs光阴极在900~1000nm内几乎无响应。 BCCD在紫外和软X射线区域也接受成像辐射，带有抗反射涂层的背照明CCD在200nm波长处具有接近50%的量子效率，而前照明CCD的电极吸收了几乎所有的紫外光。 EBCCD器件 成像过程: 光子?光电子?电子,增益在管电压为10kV时为2000,足以削弱或抵消系统噪声源; 俄罗斯“Electron”公司与“Geosphera”公司合建EBCCD像管生产线, 已有532×290, 780×290, 1024×512,1024×1024元静电倒像管商品。美国“Scientific Imaging Technologies(SITe)”公司SITe SI502A 512× 512元CCD，用于构成BCCD和近贴型EBCCD。并成功地应用于夜视电视摄像，皮秒条纹相机以及高能物理光纤探测器。 电子倍增CCD (EMCCD)器件 EMCCD是当前最新的一种使用标准的CCD生产工艺制造的成像器件。EMCCD在CCD芯片的转移寄存器和输出放大器之间具有一个特