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8.1 半导体的导电特性 本征半导体中电流由两部分组成： 1. 自由电子移动产生的电流。 物质按导电能力划分： 导体、半导体、绝缘体。 2. 空穴移动产生的电流。 二、本征半导体的导电机理 本征半导体的导电能力取决于载流子的浓度。 在常温下，由于热激发，使一些价电子获 本征半导体载流子浓度较低，导电能力较弱。 得足够的能量而脱离共价键的束缚，成为自由电 温度越高，载流子的浓度越高。因此本征半导体的 子，同时共价键上留下一个空位，称为空穴。 导电能力越强，温度是影响半导体性能的一个重要 的外部因素，这是半导体的一大特点。 本征半导体中存在数量相等的两种载流子，即 自由电子和空穴。 （在本征半导体中自由电子和空穴成对出现， 同时又不断的复合） 1 2 8.1.2 杂质半导体 多余 电子 +4 +4 N 型半导体中 在本征半导体中掺入某些微量的杂质，就会 的载流子是什 使半导体的导电性能发生显著变化。其原因是掺 么？ 杂半导体的某种载流子浓度大大增加。 +5 +4 磷原子 N 型半导体：自由电子浓度大大增加的杂质半导体， 也称为（电子半导体）。 1.由磷原子提供的电子，浓度与磷原子相同。 2.本征半导体中成对产生的电子和空穴。 P 型半导体：空穴浓度大大增加的杂质半导体，也 称为（空穴半导体）。 掺杂浓度远大于本征半导体中载流子浓度，所以，自 由电子浓度远大于空穴浓度。自由电子称为多数载流 子 （多子），空穴称为少数载流子 （少子）。 3 4 总 结 8.1.3 PN结 1. 本征半导体中载流子浓度较低。 1 PN 结的形成 2. N型半导体中电子是多子，其中大部分是掺杂提 供的电子；空穴是少子，少子的迁移也能形成电 流。由于数量的关系，起导电作用的主要是多子。 在同一片半导体基片上，分别制造P 型半导 近似认为多子与杂质浓度相等，少子的数量与温 体和N 型半导体，经过载流子的扩散，在它们的 度密切相关。