GaAs衬底上MOCVD生长立方相GaN材料的稳定性研讨.pdfVIP

GaAs衬底上MOCVD生长立方相GaN材料的稳定性研究 孙小玲 杨辉 郑联喜 李建斌 徐大鹏 中国科学院半导体研究所 国家光电子工艺中心北京 100083 李国华 中国科学院半导体研究所 超晶格开放实验室北京 100083 王占国 中国科学院半导体研究所 材料开放实验室北京 100083 摘要 本文采用高温热退火和激光退火的方式对低压MOCVD方法在GaAs衬底0(01)面制备的立方相GaN 薄膜进行处理利用光致发光光谱和喇曼散射光谱来研究相变过程。首次报道了亚稳相c-GaN的相变条件 及其光学特征. 一 引言 以GaN为基本材料的I工工一V族氮化物是宽带隙半导体中最有前景的材料。优异的光电特 性及稳定的物理性能使它们吸弓}了人们大量的注意力来研制GaN基可见光区短波段和紫外 波段的光电器件汇1-3]oGaN具有两种晶体结构，即常温下稳定的六方纤锌矿结构和亚稳定 的立方闪锌矿结构，都是直接跃迁型的半导体材料，带隙分别为3.4eV和3.18eV。这两种 结枚的材料只是原子层的堆垛顺序不同。立方相的堆垛方式是ABCABC，而六方相是ABAB 的堆垛方式。它们的最近邻位置完全相同(四面体结构)，而次近邻位置有所不同。 与六方相相比，立方相存在许多优点4〔-73,(1)以GaAs为衬底生长立方相GaN,制 作LED容易制成垂直结构，后期工艺完全可以与成熟的GaAs的制备工艺兼容，制作LDs时， 外延层易沿GaAs村底((110)面解理，能容易地形成激无器的谐振腔镜面。(2)高度的结晶 对称性减小光子散射，可期望有较高的迁移率。(3)立方相GaN的带隙比六方相GaN略小， 更接近于蓝光区，有利于形成绿光区的InGaN合金。(-4)S.Strite[83等人认为立方相 GaN更容易进行P型掺杂。 但是立方相的研究开展的较少，主要原因是立方相是一种亚稳相，获得高质量的c-GaN 较为困难。容易形成与六方相的混合相。人们通常认为在高温下容易发生相变，阻碍了。- GaN材料的制备和器件的发展[[9,101。但是未见有人对立方相GaN的稳定性进行深入研究。 本文采用高温热退火和激光退火的方式对制备的立方相GaN进行处理，来研究相变过程。 对退火前后的样品分别进行PL和Raman光谱测试。 二 实验 在GaAs(001)衬底上用MOCVD的方法生长立方相GaN薄膜。Ga源和N源分别为NH，和 三甲基Ga(TEMGa)，比作为载气。先在5500C生长GaN缓冲层，然后升至8500C生长 GaN外延层。对同一样品切成7片进行处理。样品A2，A3，A4分别在8000C，9000C， 10000C条件下进行退火处理，样品A5，A6采用准分子束激光器在IOMW1。一，和16MWlcm ‘的功率密度下辐照处理。利用室温下的光致发光谱和RAMAN散射光谱研究了退火前后样品 的光学性质。PL测量系统由单色仪，光电倍增管，和He-Cd激光器组成。激发光源为325nm 紫外线。Raman散射是在Jobin-YvonT6400喇曼光谱仪上进行的，激发光源为514.5nmAr* 激光，采用背散射配置。 三 结果与讨论 1光致发光光谱 图1(a)(b)分别为室温下测试的PL光谱，从图上所有处理过的样品光致发光仍然是典 型的立方相近带边跃迁峰。峰位在386nm，退火之后的样品没有发现六方相。(a)中高 温热退火样品的PL光谱半峰宽有降低趋势，即样品的质量变好。(b)中PL光谱半峰宽 变宽，即样品质量变差。 2喇曼光谱 Raman散射光谱可研究GaN薄膜中的光学声子模，立方GaN中的TO,LO声T-fgovin 104; 不同于六方相的户子模，因此可识别GaN薄膜中的相组成 1〔1,121.六方相中的Ez声子模在 立方相中无，也可用于区别立方相。应力及背景载流子浓度对GaN薄膜的Raman散射的影 响亦可从声子模的峰位中有所反映。 图2(a)(b)分别为室温下测试的喇曼散射光谱 Fig2(a)是高温热退火前后的样品室温下的Raman光谱图。主要的谱峰是位于552cm’的