晶体的电光效应-实验报告.doc

晶体的电光效应 学号 姓名：朱剑飞 日期：2010年4月11 日 五、数据处理 1.研究LN单轴晶体的干涉： （1）单轴锥光干涉图样： 调节好实验设备，当LN晶体不加横向电压时，可以观察到如图现象，这是典型的汇聚偏振光穿过单轴晶体后形成的干涉图样。 （2）晶体双轴干涉图样： 打开晶体驱动电压，将状态开关打在直流状态，顺时针旋转电压调整旋钮，调整驱动电压，将会观察到图案由一个中心分裂为两个，这是典型的汇聚偏振光穿过双轴晶体后形成的干涉图样，它说明单轴晶体在电场的作用下变成了双轴晶体 当V1=100V时，出现第一次倍频失真： 当V2=414V时，信号波形失真最小，振幅最大（线性调制）： 当V3=750V时，出现第二次倍频失真： （2）调制法测定LN晶体的半波电压： 晶体基本物理量 5mm 30mm 632.8nm 2.286 第一次倍频失真对应的电压V1=100V，第二次倍频失真对应的电压V3=750V。故Va=V3-V1=750-100=650。由得：= 6.42x1E-12 3.电光调制器T-V工作曲线的测量： （1）原始数据： 电压 V/V 功率 P/mV 电压 V/V 功率 P/mV 0 0.031 550 0.337 50 0.029 600 0.367 100 0.027 650 0.390 150 0.041 700 0.400 200 0.065 750 0.413 250 0.097 800 0.412 300 0.134 850 0.400 350 0.175 900 0.388 400 0.220 950 0.372 450 0.255 1000 0.368 500 0.300 依据数据作出电光调制器P-V工作曲线： 4.测量值与理论值比较： 晶体基本物理量： 5mm 30mm 632.8nm 2.286 算出理论值。与理论值相比，调制法测量结果相对误差约0.1%，实验值与理论值符合较好。其中，动态法比极值法更精确。  5.讨论实验中观察到的输出波形和畸变产生的原因： 根据理论计算，当V=0时，T应当为极小值（T=0），然而从实验测量出的T-V图中可以发现，当V=0时，T不为零，且极小值也不出现在V=0处，对此我们可以归纳出以下几种可能原因： （1）由于在调试前后两个偏振片过程中，难以保证其起偏方向完全垂直，这就导致了极小值点偏离V=0点。 （2）由于工艺上的原因，前后两个偏振片即使在完全垂直的情况下，也不可能完全消光，总会有光线透过，因此，极小值点之值大于零。 输出波形畸变产生的原因： 根据数学推导可得，光强透过率： （1）当时，工作点落在线性工作区的中部，将代入得： 这时，调制器输出的波形和调制信号的频率相同，即线性调制。 （2）当或，时，同理可得，这时输出光的频率是调制信号的两倍，即产生“倍频”失真。 六、选作实验： 测量1/4波片的： 转过角度 输出波形特点 86° 线性调制 175° 倍频失真 264° 线性调制 355° 倍频失真 在实验中去掉晶体上所加的直流偏压把1/4波片置入晶体和偏振片之间绕光轴缓慢旋转时可以看到输出信号随着发生变化直流偏压 与前面的公式类比，可发现式中的即相当于原先公式中的“”。在从倍频失真到线性调制的过程中，由于1/4波片旋转了90°，透射光相位改变了（o光转化为e光或相反），而相应的“”改变了/2，故有： 即1/4波片的。 七、实验后思考题： 在正交的偏正片之间插入厚度为d的双折射晶体，其表面与晶体的光轴平行，n o-ne=△n，当平行光正入射时，起偏器的偏正化方向与o光的夹角为ａ，试讨论出射光强与入射光强之比。 Ein2= E o 2+ Eie2，Eo正比于（Acosａ）2，Eo正比于（Asinａ）2，Eout=2*（Acosａ*sinａ）2，所以Eout/Ein=sin2(2ａ)/2.当ａ=45.，Eout/Ein=1/2最大。ａ=0.或90.，Eout/Ein=0最小。 2.为什么1/4波片也可以改变电光晶体的工作点？ 答：1/4波片是一块具有特定厚度的双轴晶体，光线透过1/4波片后会分解为o光和e光，两者的相位差为。将1/4波片引起的相位差考虑之后可得光强透过率： 当起始光偏振方向垂直于1/4波片的光轴时，透射光全为o光，此时=0，代入上式可得： 此时调制器输出的波形和调制信号的频率相同，即线性调制。 旋转1/4波片，当起始光偏振方向平行于1/4波片的光轴时，透射光全为e光，此时，代入上式可得： 这时输出光的频率是调制信号的两倍，即产生“倍频”失真。 因此，旋转1/4波片可以改变电光晶体的工作点。 基础物理实验报告