半导体物理大题 Chapter 1 Chapter 2.docVIP

大题 Chapter 1 Chapter 2 （计算）Au 在 Si 中产生双重能级（96、99） （说明）Si、Ge、GaAs 能带特点（93、96、97、98） Chapter 3 （证明） E-k 关系（94） （推导） 二维电子气模型求模式密度、 导带电子浓度表达式 （93、 态密度有效质量（99） 96、05） 载流子有效质量（06） 半导体的掺杂补偿效应（06） （证明）知 n、p，求 n 、E 及 n、p 与 n i 关系（03） i i 施主杂质及其电离能（07） （图）n v 解释、说明 金刚石结构（2001） 金刚石结构的密排面（2003） Si 晶体结构和结合性质（2006） 直接、间接禁带半导体（00） 等电子陷阱（97） 半导体能带结构（07） 1 ， 区分本征区、 强电离区、 弱电离区以及理由 （01） T ne 2 τ （01） m （推导）球形等能面抛物带求 g（ ） （96、00） Chapter 4 （推导） σ = 影响载流子迁移率的因素（06） 动量驰豫时间（00） 霍尔效应及在半导体中应用（03） 热载流子效应（06） （计算）Fe 在 Ge 中产生双重能级（98） （说明）霍尔效应及在半导体中主要应用（93、98） （计算）GaAs 中含浅施主、深受主（97） 1 1 、R = ，R 为何反比载流子浓度（94） ne np 1 （图）对 ln σ 曲线作相关说明（93） T （说明） R = Chapter 5 （说明） 直接、 间接复合及各过程影响因素， 平均自由时间 （05、 非平衡载流子的寿命（06） 06） 爱因斯坦关系（94） 深能级通常是有效复合中心（94、97、00） 复合中心（03） 2 n ≠ p 下，τ 多子 ≠ τ 少子 ； R=reff（np-n i ） ；少子寿 陷阱效应（01） 过剩载流子的扩散长度、 扩散速度 （01） 命（99） 俄歇复合（07） KT 带间俄歇复合（98、00） （证明）爱因斯坦关系 D= （00） e 准费米能级（97、00） （推导）一维扩散分布、扩散流（93、97、07） 准平衡（94、97、98、07） R= （np-n i 2） （94） rn n +n1）+（p+p1） （ rp N t rn rp Chapter 6 间接复合四个过程 nMOS 的 C-V 曲线（06） （计算）线性缓变 pn 结（06） 知 P、N 浓度，求势垒、电场电荷分布（05） （说明）正向偏压下 pn 结（98、03） 1 εε eN 2 0 （97、01） （证明） C(V)= （V -V） 2 D eV eV Dn KT KT （证明） 0 (e -1)，jn = e 00) J=J n0 (e 1) , j p 关系式(94、 Ln 隧道（齐纳）击穿（06） 隧道二极管（99） 扩散电容（98） 平带电压（96） 欧姆接触 PDF 文件使用 pdfFactory 试用版本创建 1993 年 一、导出非简并情形下电子浓度 n 随费米能级 EF 的变化 n= N c e EC EF KT 式中 EC 为导带底能量，N C 为导带有效态密度。 （20 分） 二、设入射光在半导体的 n 型半导体表面很薄的表面层内被吸收并激发电子空穴对。求导 出过剩载流子的一维稳定扩散系数， 并就所得的结果中有关的量做适当的说明。 分） （30 三、 说明霍尔效应在半导体中的重要应用。 （10 分） 四、半导体电导率σ的对数 lnσ随温度倒数 1/T 的变化如图示，试对之作点说明。 （15 分） ln δ 1/T 五、 MIS 结构的平带电压和哪些因素有关？ （10 分） 六、说明 Si、GaAs 的能带结构的特点，并据之评述两者物理性质的差异及在应用中的优缺 点。 （15 分） 1994 年 PDF 文件使用 pdfFactory 试用版本创建 一、名词解释：爱因斯坦关系、准平衡 （10 分） ，可告诉你哪些重要知识？试举例说明。 （15 分） 二、试证明半导体能带结构（即 E- k 关系） r 三、R=- 1 1 或 R=（略去霍尔因子） ，从物理上说明 R 的大小为何反比于载流子浓度？ ne pe （15 分） 四、通过复合中心的复合速率 R 可写作： R= （np-n i 2） rn n +n1）+（p+p1） （ rp N t rn rp 其中 n、p、Nt 分别为电子、空穴和复合中心浓度， n i 为本征载流子浓度， rn 、 rp 为电 子和空穴的俘获系数， n1 = N c e Ec Et KT ， p1 = N v e Et Ev KT ，式中 Et 为复合中心的能级位置， 试求 n 型和 p 型材料在低阻区和高阻区的小信号寿命， 说明为什