硅烷膜的阴极电化学辅助沉积及其防护性能.pdfVIP

第42卷 第3期 仓属学竣 Vbl．42NO．3 ACTAMETALLURGICASINICA Mar．2006 2006年3月295—298页 PP．295—298 硅烷膜的阴极电化学辅助沉积及其防护性能 张卫民 胡吉明 (金华职业技术学院，金华321017)(浙江大学化学系，杭州310027) 摘 要 采用电化学辅助技术在LYl2铝合金表面沉积了两种防护性硅烷膜(1，2一二一(三乙氧基硅基)乙烷(BTSE)膜与 十二烷基三甲氧基硅烷(DTMS)膜)．电化学阻抗谱测试结果显示，经硅烷化处理后铝合金的耐蚀性能得到大幅度提高，并且发 现在阴极电位下沉积所得硅烷膜的耐蚀性能较常规“浸涂法”有明显提高；两种硅烷膜均存在一个最佳的“临界阴极电位”(一0．8 V)，在此电位下制得的膜耐蚀性最佳．扫描电镜观察显示临界电位下所得硅烷膜最为完整致密，电位过正不利于成膜，而电位继续 变负膜表面呈现多孔形貌，可能与氢气的生成并溢出破坏表面有关．由于在硅烷分子中含有疏水性较强的十二烷基长链， DTMS 膜具有更好的耐蚀性． 关键词 硅烷膜，电化学辅助沉积，铝合金，防腐蚀 中图法分类号TGl74，0646文献标识码 A 文章编号0412—1961(2006)03—0295—04 CATHoDICALIfy DEPoSITIoNANDPRoTECTIVEPRoPERTIES oFSILANEFILMS Weimin ZHANG Jinhua ofProfessionand 321017 College Technology,Jinhua HU Jiming of 310027 DepartmentChemistry,ZhejiangUniversity,Hangzhou Correspondent：ZHANG NationalNaturalScienceFoudationChina NaturalScience Supportedby ol Noand Foundation olZhejiangProvince(No．Y404295) received2005—06—14．inrevisedform2005—09—07 Manuscript ABSTRAcTTWO of silane typesprotectivefilms，bis一1，2一[triethoxysilylI onLYl2aluminumwith ofelectro— dodecyltrimethoxysilane(DTMS)，weredeposited alloys aiding chemical testsshowthataftersilanization technique．Electrochemicalimpedancespectroscopy(EISl thecorrosionresistancesofA1 areincreased after atcathodic alloys significantly,especiallydeposition critical foundforeachsilane potentials．AdepositionpotentialfCDP)，