计算机电路基础课件2015-11第5章.ppt

第五章 半导体器件 （时间：4次课，8学时） 教学提示： 半导体器件是构成电子线路的基本单元， 掌握半导体器件的基本特性是分析电子线路的基础。 本章首先讨论半导体的特性，然后分别介绍PN结、二极管、三极管、场效应管(和晶闸管)的基本知识。 教学目的： 1.了解P型半导体、N型半导体以及PN结的特性； 2. 掌握半导体二极管、三极管和场效应管工作原理、 伏安特性和主要参数； 3. 了解其它类型的半导体器件。 主要内容 5.1 半导体与PN结 5.2 半导体二极管 5.3 半导体三极管 5.4 场效应管 5.5 复合管 5.1 半导体与PN结 导电能力介于导体与绝缘体之间的物质称为半导体. 常用的半导体材料是锗（Ge）和硅（Si）。 5.1.1 本征半导体 1.纯净的半导体称为本征半导体。 2.本征半导体的共价键结构: 最外层都有四个价电子; 每一个价电子都和邻近原子 的价电子组成一对共价键， 形成相互束缚的关系。 3.最外层均有八个价电子而处于稳定状态。 这时半导体内部没有任何带电的粒子存在， 半导体材料相当于绝缘体。 4.本征激发: 温度或外界光照影响下，价电子电子得到能量，其中少数 能量较大的价电子可以摆脱共价键的束缚而形成自由电子,这种现象称为本征激发 5.电子－空穴对: 价电子脱离了共价键束缚后，在原共 价键中缺少一个应有的电子而留下了 “空穴”，形成电子－空穴对. “空穴”因失去电子而形成的， 被视为带单位正电荷. 6.复合: 带正电荷的空穴，会吸引相邻原子上的价电子来填补(复合)，而在这个价电子的原来地方留下新的空穴。 7.载流子 空穴(+)和电子(-)都是带电的粒子，称为载流子. 空穴和电子的运动是杂乱无章的, 在本征半导体中不构成电流。 8.激发和复合的动态平衡: 在外界环境影响下，电子和空穴的激发和复合是同时 进行的，并保持动态平衡，使电子－空穴的浓度保持不变。 随着温度的升高，本征激发会提高电子－空穴对浓度。 5.1.2 P型半导体和N型半导体 本征半导体中空穴(+)和电子(-)是等量的而且很少. 在本征半导体中掺入微量的其它(杂质)元素,掺杂后的半导体 --- 杂质半导体。 掺杂的元素不同，P型(杂质)半导体和N(杂质)型半导体。 1.N型半导体 在本征半导体锗或硅中掺入五价的磷(P)或锑(Sb)元素，杂质原子代替本征半导体晶格中的某些锗或硅的原子，并提供一个多余价电子，它仅受本身原子核的吸引，只要获得少量的能量就能挣脱原子核的束缚而成为自由电子。 五价的杂质元素提供多余 的价电子，称此杂质为施主杂质。 掺入施主杂质后的半导体中 自由电子的浓度远大于空穴， 这样的半导体称为N型半导体。 N型半导体中 自由电子称为多数载流子， 空穴称为少数载流子. 五价的杂质原子由于给出一个 价电子后成为带正电荷的离子, 它是被束缚在半导体晶格中不能移动而不能参与导电。 N型半导体简化结构 ２．P型半导体 　　　在本征半导体锗或硅中掺入三价的元素(B)或(Al)． 　　　三价元素的原子代替本征半导体晶格中（锗或硅）的原子。 由于三价元素只有三个价电子，使第四对共价键留下“空穴”，邻近原子共价键上的电子只需获得少量的能量就能填补这个空穴， 三价的杂质元素的原子能接受电子，故称为受主杂质。 　　　掺杂后的半导体中空穴为多数载流子， 　　　自由电子为少数载流子，这样的半导体称为P型半导体。 5.1.3 PN结 1.PN结的形成: 纯净的半导体晶片上， 一边掺杂成P型半导体， 一边掺杂成N型半导体,如下图 . 1).扩散运动 : 浓度的差异引起载流子 的运动称为扩散运动 . 扩散从P区与N区的交界处开始。 空穴扩散到N区与电子复合， 在P区留下不能移动的负离子； 电子扩散到P区与空穴复合. 2)空间电荷区: 在N区留下不能移动的正离子。在P区和N区的交界附近形成一个不能移动的正、负离子的空间电荷区称为PN结。 3).飘移运动: 由正、负离子组