第三章 电阻材料PPT.ppt

在镍铬铝基础上加入镱（Yb）、镧（La）、钪（Se）、铒（Er），可以分别制得镍铬铝镱、镍铬铝镧、镍铬铝钪、镍铬铝铒薄膜，它们具有电阻率高、电阻温度系数小、稳定性高的特点，适于制造高稳定性的电阻器。 在镍铬硅基础上适量加镧、镱、铒制成镍铬硅镧、镍铬硅铒薄膜，它们具有高阻值、低电阻温度系数、高稳定性。 在镍铬中掺入金，可制得镍铬金薄膜，可用于制作低方阻和低电阻温度系数的电阻器。 3.其他改性镍铬薄膜 （1）NiCr-O薄膜 在NiCr薄膜淀积过程中掺入氧，可以提高NiCr薄膜的电阻值，降低电阻温度系数，提高稳定性。也可用反应溅射或等离子溅射方法制得。 （2）NiCrAlFe和NiCrAlCu精密电阻薄膜 采用蒸发法制备，制得的薄膜电阻温度系数小，电阻率高，宜作高、中阻值的精密电阻。 （3）NiCrBe薄膜电阻 在NiCr合金中掺入Be能形成抗氧化层，提高NiCr电阻膜的稳定性。 3.3.5 金属陶瓷电阻薄膜 金属陶瓷薄膜是指金属和硅等氧化物绝缘体组成的薄膜，主要特点是电阻率高，耐温高。 1.铬—氧化硅电阻薄膜 常用真空蒸发法或反应溅射的方法制得。Cr-SiO电阻薄膜具有阻值高、电阻温度系数小的特点，可通过改变Cr和SiO的比例来得到所需的方阻，同时可以通过改变膜厚，热处理温度来调节Cr-SiO电阻薄膜的方阻和性能。 2.钛—二氧化硅薄膜 Ti-SiO2薄膜常用射频溅射方法制造。将高纯钛板和SiO2片装在靶上，通过改变Ti和SiO2所占靶面积的比，可以得到不同方阻的Ti-SiO2薄膜。 Ti-SiO2薄膜阻值高、电阻温度系数小，稳定性高。其性能跟成分和制造工艺有关。 3.3.6 铬—硅电阻薄膜 铬—硅电阻薄膜是片式元件和混合集成电路中常用的薄膜电阻材料，具有电阻率高、电阻温度系数小、稳定性好的优点，常用真空蒸发和溅射方法制得。 铬—硅薄膜中增加Cr含量，会使薄膜的电阻率下降，同时电阻温度系数由负值逐渐变为正值。 不同的制备工艺也会影响铬—硅薄膜的性质。热处理可以降低电阻温度系数，调整电阻率，改善薄膜的电性能；在溅射中通入微量的氧进行反应溅射可以提高薄膜的电阻率，使电阻温度系数更负。 3.3.7 钽基电阻薄膜 钽基电阻薄膜是指钽的化合物和和金薄膜，这类薄膜性能稳定，广泛用于钽基薄膜集成电路。钽薄膜通常用溅射法制取，其结构与制备工艺参数有关。 1.氮化钽膜 氮化钽薄膜是钽（Ta）与N反应生成的钽的化合物，该薄膜具有电阻温度系数小，稳定性高的中低阻，常用于制作精密薄膜电阻器。 氮化钽薄膜的性能和结构受成膜工艺参数影响。随着氮分压增大，电阻率增加，电阻温度系数由正变负；基片温度升高，电阻率稍有降低，电阻温度系数由负值趋于零；随溅射电压增加，电阻温度系数减小，由负值趋向于零；溅射电流对薄膜的影响与溅射电压类似。 对溅射的薄膜马上进行真空热处理可以提高薄膜的稳定性，降低电阻温度系数。 2.钽铝合金薄膜 钽铝合金薄膜是用高纯的Ta和Al制成复合靶材，通过改变铝的面积采用溅射方法得到不同组分的钽铝膜。这种薄膜稳定性高，温度系数小，方阻可调范围宽。 TaAlN薄膜是采用反应溅射法制得的电阻薄膜，其薄膜电阻率比TaN膜进一步提高。制备时反应气体用高纯的氮气，氮分压对薄膜电阻率和电阻温度系数都有很大影响。氮分压增加，电阻率急增，电阻温度系数向负方向增大。 TaAl和TaAlN薄膜都可以采用阳极氧化法调阻，在表面生成氧化物，膜厚减小，方阻增大，稳定性提高。 Al的摩尔分数为50％的TaAl膜稳定性好，适于作精密电阻网络。 第三章 电阻材料 电阻材料是指常用的电阻器、片式电阻器、混合集成电路中的薄膜和厚膜电阻器、可变电阻器和电位器等所用的电阻体材料。 主要包括线绕电阻材料、薄膜电阻材料和厚膜电阻材料。 3.1 电阻材料概述 3.1.1 电阻、电阻器和电阻单位 电阻是指材料在一定程度上阻碍电流通过，并将电能转变为热能的一种物理性质。 将电阻材料做成具有一定形状、结构的实体元件，称为电阻器或电阻元件，在电子设备中起调节和分配电能的作用。在电路中常用作分压、调压、分流、消耗电能的负载及滤波元件等。 电阻器可根据形状分为线绕电阻器、合金箔电阻器、薄膜电阻器、厚膜电阻器、实心电阻器、片式电阻器；或根据阻值变化分为固定电阻器、可变电阻器、电位器。 3.1.2 电阻率和膜电阻 导体的电阻值取决于导电材料的性质和几何尺寸： L为导体的长度，S为导体的横截面积，ρ为与材料有关的常数，称为电阻率。 材料的电阻率决定该材料是导体、半导体还是绝缘体，电阻率的大小取决于材料的种类、结构以及环境条件。 3.1.3 电阻与温度的关系 材料的电阻率是温度的函数，除了热敏电阻等特殊器件外，一般要求电阻材料阻值随温度变化越小越好，常用电阻温度系数表示电阻器对温度的稳定性。 不同电阻材料由于