微机原理第十七次_new.pptVIP

微机原理及接口技术 存储技术 其他存储器 双端口存储器 先进先出(FIFO)存储器 铁电存储器FRAM 双端口存储器 双端口存储器有多个厂家生产的多种型号，以DS1609说明。 引线 双端口存储器DS1609的引线如图所示。 双端口存储器 读/写操作 DS1609的任一端口的读操作可用图所示的时序图来表示。由图可以看到DS1609的读出过程：在AD0～AD7上加上地址信号，利用CS的下降沿锁存地址于芯片内部，然后在CS和OE同时为低电平时将地址单元中的内容读出。 双端口存储器 同时操作 对不同存储单元允许同时读或写。 允许同一单元同时读。 当一个端口写某单元而另一端口同时读该单元时，读出的数据要么是旧数据，要么是新写入的数据。因此，这种情况也不会发生混乱。 当两个端口同时对同一单元写数据时，就会引起竞争，产生错误。因此，这种情况应想办法加以避免 双端口存储器 竞争的消除 对于DS1609来说，竞争发生在对一单元同时写数据时。为了防止竞争的发生，可以另外设置两个接口，该接口能保证一个端口只写而另一个只读。该接口可用带有三态门输出的锁存器来实现，如74LS373和74LS374。 先进先出(FIFO)存储器 在数字电路中，有利用移位寄存器实现FIFO的产品，这种电路的功能是通过移位来实现的。而这里要说明的FIFO存储器，是由若干存储单元构成的，数据写入之后就保持不动，而FIFO功能是利用芯片内部的地址指针的自动修改来实现的。下面仅以异步FIFO存储器DS2009为例加以说明。 DS2009的引线及功能 DS2009 FIFO存储器也是双端口存储器，只是它的一个端口是只写的，而另一个端口是只读的。其引线如图所示。 先进先出(FIFO)存储器 具体操作 写操作 在FIFO非满(＝1)的条件下，利用脉冲的上升沿将数据写入。每写入一个数据，内部地址指针自动加1，并在512个单元内循环。 读操作 在FIFO非空(＝1)状态下，利用脉冲下降沿将数据读出。每读出一个数据，内部地址指针自动加1，并在512个单元内循环。 芯片的满与空是利用芯片内部写地址指针和读地址指针的距离来决定的。同时，对芯片的写与读是完全独立的，可以同时进行，也可以各自操作。利用芯片所提供的状态信号，可以方便地实现FIFO的数据传送。 先进先出(FIFO)存储器 具体操作 级联操作。 可以利用多片DS2009实现字宽的扩展。 利用两片级联即可实现18位(两个9位)数据的扩展，从而构成512×18 bit的FIFO存储器。 同样，利用多片也可以实现深度的扩展。例如，利用4片DS2009级联即可实现2048×9 bit的深度扩展。 铁电存储器FRAM 典型芯片 作为典型的FRAM芯片，现在说明由Ramtron公司研制的并行铁电存储器(FRAM)FM1808，其引线如图所示。 铁电存储器FRAM 关于FRAM的几点说明 早期的FRAM读/写速度不一样，写入时间更长一些，在使用上要注意。近期的FRAM读/写速度是一样的。例如，上述FM1808的一次读/写时间为70 ns。一般地，一次读/写的时间短，而连续的读/写周期要长一些。例如，Ramtron公司新近推出的128 K×8 bit的FRAM芯片FM20L08的一次读/写时间为60 ns，而其连续的读/写周期为150 ns。这对多数工控机来说还是可以满足要求的。 铁电存储器FRAM 关于FRAM的几点说明 FRAM在功耗、写入速度等许多方面都远远优于EPROM或EEPROM。这里特别提出的是写入次数，FRAM比EPROM或EEPROM要大得多。EPROM的写入次数在万次左右，而EEPROM的写入次数一般为1万～10万次，个别芯片能达到100万次。早期的FRAM的写入次数为几百亿次，而目前的芯片可达万亿次甚至是无限多次。 在FRAM家族中，除了上述并行的FRAM芯片外，还有串行FRAM芯片。与串行EEPROM一样，串行FRAM只能用作外存。显然，利用串行FRAM可以构成IC卡 动态随机存储器DRAM 特点： DRAM是靠MOS电路中的栅极电容来存储信息的，由于电容上的电荷会逐渐泄漏，需要定时充电以维持存储内容不丢失（称为动态刷新），所以动态RAM需要设置刷新电路，相应外围电路就较为复杂。 刷新定时间隔一般为几微秒～几毫秒 DRAM的特点是集成度高（存储容量大，可达1Gbit/片以上），功耗低，速度（10ns左右），需要刷新。 DRAM在微机中应用非常广泛，如微机中的内存条（主存）、显卡上的显示存储器几乎都是用DRAM制造的。 动态随机存储器DRAM 常见DRAM的种类： SDRAM（Synchronous DRAM）——它在1个CPU时钟周期内可完成数据的访问和刷新，即可与CPU的时钟同步工作。SDRAM的工作频率目前最大可达1