[工学]第4章 正弦波振荡器.ppt

4.5.3 高稳定晶体振荡器 影响晶体振荡器频率稳定度的因素仍然是温 度、 电源电压和负载变化, 其中最主要的还是温 度的影响。 图4─24 AT切片的频率温度特性 习题解答 图4─25 恒温晶体振荡器的组成 图4─25是一种恒温晶体振荡器的组成框图。 它由两大部分组成:晶体振荡器和恒温控制电路。 图4─26 温度补偿晶振的原理线路 4.6 振荡器中的几种现象 4.6.1 间歇振荡 LC振荡器在建立振荡的过程中, 有两个互有 联系的暂态过程, 一个是回路上高频振荡的建立 过程; 另一个是偏压的建立过程。回路有储能作 用, 要建立稳定的振荡器需要有一定的时间。 图4─27 间歇振荡时Ub与Eb的波形 4.6.2 频率拖曳现象 图4─28变压器反馈振荡器 (a)实际电路; (b)耦合回路的等效电路 由图可以看出以下几点: (1)ωII始终大于ωI,且有ωIIω01,ωIω01; (2)当ω02远低于ω01时,ω02对ωI影响较大;当 ω02远大于ω01时,ω02对ωII影响较大。 图4─29 阻抗ZL的幅角φL的频率特性 图4─30 ωI、ωII与ω02的关系曲线及拖曳 4.6.3 振荡器的频率占据现象 在一般LC振荡器中,若从外部引入一频率为fs 的信号,当fs接近振荡器原来的振荡频率f1时, 会发 生占据现象,表现为当fs接近f1时,振荡器受外加信 号影响,振荡频率向接近fs的频率变化,而当fs进一 步接近原来f1时,振荡频率甚至等于外加信号频率 fs,产生强迫同步。 图4─31 占据现象 图4─32说明占据过程的瞬时电压矢量图 (a)fs小于f1;(b)占据时的矢量 由图(b)可知,因 由上式三个矢量构成的平行四边形关系,可得 (4─57) 通常回路失谐不大(失谐很大时振幅条件 也将不能满足)时,φL不大,因此有下列近似关系: 再考虑并联回路 (4─58) 当ES不大时,可以用Ub代替U′b,式(4─57)可写为 (4─59) (4─60) 可能得到的最大占据频带2Δf出现在sinφ的最大 值1处,因此可得相对占据频带 4.6.4 寄生振荡 在高频放大器或振荡器中, 由于某种原因, 会产生不需要的振荡信号, 这种振荡称为寄生 振荡。如第3章介绍的小信号放大器稳定性时所 说的自激, 即属于寄生振荡。 产生寄生振荡的形式和原因是各种各样的, 有单级和多级振荡, 有工作频率附近的振荡或者 是远离工作频率的低频或超高频振荡。 图4─33 低频寄生振荡的等效电路和波形 图4─34 电源去耦举例 各类设备对频率稳定度的要求 日常所说的频率稳定度是指外界条件 下频变的最大值。 4.3.2 振荡器的稳频原理 由式(4 ─ 9b)有 设回路Q值较高, 根据第2章的讨论可知, 振荡回路在ω0附近的幅角φL可以近似表示为 因此相位平衡条件可以表示为 (4─45) (4─46) (4─47) 考虑到QL值较高,即ω1/ω0≈1,有 (4─48) 图4─16 从相位平衡条件看振荡频率的变化 (a)相位平衡条件;(b)ω0的变化;(c) 1. 回路谐振频率ω0的影响 ω0由构成回路的电感L和电容C决定,它不但要考虑回路的线圈电感、调谐电容和反馈电路元件外,还应考虑并在回路上的其它电抗,如晶体管的极间电容,后级负载电容(或电感)等。设回路电感和电容的总变化量分别为ΔL、ΔC,则由 可得 (4─49) 4.3.3 提高频率稳定度的措施 1. 提高振荡回路的标准性 振荡回路的标准性是指回路元件和电容的标准性。温度是影响的主要因素:温度的改变,导致电感线圈和电容器极板的几何尺寸将发生变化,而且电容器介质材料的介电系数及磁性材料的导磁率也将变化,从而使电感、电容值改变。 2. 减少晶体管的影响 在上节分析反馈型振荡器原理时已提到,极间电容将影响频率稳定度,在设计电路时应尽可能减少晶体管和回路之间的耦合。另外,应选择fT较高的晶体管,fT越高,高频性能越好,可以保证在工作频率范围内均有较高的跨导,电路易于起振;而且fT越高,晶体管内部相移越小。