[农学]第1章 绪论.ppt

绪 论 1 什么是电力电子技术 2.电能变换的目的 提高电能的利用率：原材料-制成成品 EG：木材-木工-桌子 提高电能的适应能力： EG：电网不能直接给HID灯、计算机和通信设备供电 促进生产技术改造，提高效率和产品质量、降低成本： EG：感应加热 改变环境污染、改善劳动条件： EG：高压除尘 在美国，60%电能经过变换后才能利用，20-30年后将为100%。 在我国，约30%电能经过变换后才能利用，存在大量劳动力市场。 3.电力电子技术的特性——节约能源 4.电力电子与信息电子 1.2 　两大分支 1.3 与相关学科的关系 电力电子学 (Power Electronics)名称60年代出现。 1974年，美国的W. Newell用图1的倒三角形对电力电子学进行了描述，被全世界普遍接受。 1.3 与相关学科的关系 1.3 与相关学科的关系 1.3 与相关学科的关系 1.4 地位和未来 2 电力电子技术的发展史 2 电力电子技术的发展史 2.2 晶闸管时代（1957年开始） 晶闸管 SCR(Silicon Controlled Rectifier)可通过门极控制开通，但通过门极不能控制关断，属于半控型器件。 晶闸管因其电气性能和控制性能优越，很快取代了水银整流器和旋转变流机组，应用范围也迅速扩大。电化学工业、铁道电气机车、钢铁工业（轧钢用电气传动、感应加热等）、电力工业（直流输电、无功补偿等）的迅速发展也有力地推动了晶闸管的进步。电力电子技术的概念和基础就是由于晶闸管及晶闸管变流技术的发展而确立的。 对晶闸管电路的控制方式主要是相位控制方式。 晶闸管的关断通常依靠电网电压等外部条件来实现 。 目前由于其能承受的电压、电流容量仍是目前器件中最高的，而且工作可靠，所以许多大容量场合仍大量使用SCR。 2.3 全控型器件时代（70年代后期） GTO 可关断晶闸管 以 BJT(GTR) 电力双极型晶体管 为代表： Power-MOSFET 电力场效应管 这些器件可以通过门极（或栅极、基极）控制开通和关断。 同时，这些器件可以达到的开关频率均较高。 这些器件大大推进了电力电子技术的发展。 和SCR电路的相位控制方式相对应，全控型器件电路常使用脉冲宽度调制（PWM Pulse Width Modulation）方式进行控制。 2.4 复合型器件（80年代后期） 以绝缘栅极双极型晶体管（Insulated －Gate Bipolar Transistor－IGBT）为代表,IGBT是电力场效应管（MOSFET）和双极结型晶体管（ Bipolar Junction Transistor－BJT）的复合。 它集MOSFET的驱动功率小、开关速度快的优点和BJT通态压降小、载流能力大的优点于一身，性能十分优越，使之成为现代电力电子技术的主导器件。 与IGBT相对应，MOS控制晶闸管（MOS Controlled Transistor－MCT）和集成门极换流晶闸管（Intelligent Gate-Commutated Thyristor－IGCT）等都是MOSFET和GTO的复合，它们也综合了MOSFET和GTO两种器件的优点。 功率模块（Power Module）：为了使电力电子装置的结构紧凑、体积减小，常常把若干个电力电子器件及必要的辅助元件做成模块的形式，这给应用带来了很大的方便。 功率集成电路（Power Integrated Circuit－PIC）：把驱动、控制、保护电路和功率器件集成在一起，构成功率集成电路（PIC）。目前其功率都还较小，但代 表了电力电子技术发展的一个重要方向 。 智能功率模块（Intelligent Power Module－IPM）则专指IGBT及其辅助器件与其保护和驱动电路的单片集成，也称智能IGBT（Intelligent IGBT）。 高压集成电路（High Voltage Integrated Circuit－HVIC）：一般指横向高压器件与逻辑或模拟控制电路的单片集成。 智能功率集成电路（Smart Power Integrated Circuit－SPIC）：一般指纵向功率器件与逻辑或模拟控制电路的单片集成。 2.5 21世纪电力电子技术的前景 电力电子器件发展的目标是： 大容量、高频率、易驱动、低损耗、小体积（高芯片利用率）、模块化。 新的控制技术的使用，以减小电力电子器件的开关损耗，如软开关技术：通过谐振电路使得器件在零电压（ZVS）或零电流（ZCS）的状态下进行开关。 电力电子应用系统向着高效、节能、小型化和智能化的方向发展。 3 电力电子技术的应用 1）一般工业 直流电动机