第3章-半导体三极管及其放大电路1精选.ppt

* 第3章 * (4)　线性放大区 饱和区、截止区和过耗区所包围的区域，为线形放大区。 该区晶体管处于放大状态，iC＝βiB (ic＝βi B)，输入信号与输出信号基本成线形关系。 此区，发射结正偏，集电结反偏。 * 第3章 * 3.4 小信号模型分析法(微变等效电路分析法) 3.4.1　BJT小信号建模 如图3.4.1所示。 * 第3章 * * 第3章 * 一个双口有源器件组成的网络，可以选择vi、vo及ii、io这四个参数中的两个作为自变量，其余两个作为因变量，就可得到不同的网络参数，如Z参数(开路阻抗参数)，Y参数(短路导纳参数)，H参数(混合参数)等。H参数在低频时用的较广泛。 * 第3章 * 1.　BJT H 参数的引出 如图3.4.2所示。 图(a)的输入、输出回路的电压、电流之间的关系可分别表示为： vBE＝f1(iB，vCE) iC ＝f2(iB，vCE) * 第3章 * ［转106］ ［转109］ * 第3章 * 由于已假定BJT是在小信号下工作，考虑电压、电流之间的微变关系，对上两式求全微分，得：[参看P94式(3.4.1~3.4.2)] * 第3章 * 上式中，dvBE、dvCE及diB、diC等表示无限小的信号增量，假定在小信号作用下，及电压电流的变化没有超出特性曲线的线形范围时，无限小的信号增量可以用有限的增量来表示，即可以用电压、电流的交流分量来代替，则式(3.4.1)、(3.4.2)可写成下列形式： * 第3章 * vbe=hie ib+ hrevce 　　　　　　　　　(3.4.3) ic=hfeib+ hoev ce (3.4.4) 或 ［转106］ ［转109］ * 第3章 * 式中，hie、hre、hfe、hoe称为BJT在共发接法时的H参数，其中： * 第3章 * 由于这四个参数的量纲各不相同，因此，这种参数系统是不同量纲的混合，故称为混合参数。 * 第3章 * 2.　H 参数小信号模型 (1)　小信号模型的引出 由(3.4.3)式与图3.4.2(a)结合可以看出，晶体管输入回路的输入电压vbe是由两部分构成，hieib表示ib在hie上的电压降； * 第3章 * hrevce表示输出电压vce(通过集电结结电容)对输入回路的反作用，它是一个受控电压源(受控于vce)；用一个电压源来表示。可用图3.4.2(b)左边部分的等效电路来等效。 * 第3章 * * 第3章 * 由(3.4.4)式与图3.4.2(a)结合可以看出，晶体管输出回路的输入电流iC也是由两部分构成，hfeib表示ib在输出回路产生的电流，用一个电流源表示，它是一个受控电流源(受控于ib)；hoevce表示输出电压vce在输出电阻(1／hoe)上产生的电流，可用图3.4.2(b)右边部分的等效电路来等效。 * 第3章 * 由此得到包含四个H 参数的BJT的小信号模型，既BJT的H参数等效电路(如图3.4.3所示)，这就是把BJT线性化后的线性模型。在电路的分析计算中，利用此模型，可使电路的计算大大简化。 ［转112］ * 第3章 * * 第3章 * (2)　关于小信号模型的讨论 ①　等效电流源hfeib是通过电路分析而虚拟出来的，它只是代表BJT的电流控制作用，而非BJT本身所具有的能源，当ib＝0时，该电流源就不存在了，即它从属于ib，所以称之为受控电流源。 * 第3章 * ②　 hfeib的电流流向是由ib(也就是vbe)来决定的，不能随意假定，否则就会得出错误的结论。 同理，hrevce也是一个受控源，也具有从属性，它在电路中的极性也不能随意假定。 * 第3章 * ③　放大电路在工作时，放大的是变化量(交流信号)，所以在小信号模型中讨论的电压、电流也都是变化量(交流信号)，不能求解Q点。 综上所述：等效电源是受控电源，具有从属性；小信号模型中所描述的对象是小范围内的变化量。 * 第3章 * (3)　模型的简化 ①　H 参数的数量级 * 第3章 * 例如：对于高频小功率硅管3DG6，在IC＝1mA，IB＝3μA，VCE＝5V时的H参数，通过实验测得: * 第3章 * ②　晶体管 H 参数的简化模型 由于hre、hoe都很小，通常情况下，可以忽略不计，从而可得出简化模型，如图3.4.3(b)所示。 简化后的模型，hfe用β代替，hie用rbe代替。 即：简化模型的条件是：hre、hoe都很小，对电路的影响可以忽略不计。 ［转119］ * 第3章 * * 第3章 * 3.　H 参数的确定 在用 H 参数等效电路分析放大电路之前，首先要得到晶体管在Q点处的H参数，方法： (1)　利用晶体管特性图示仪求β、rb e ； (2)　β为已知，计算rbe ， rbe的计算可通过下式计算： rbe ＝ rb ＋(1＋