[理学]第3章二极管及其应用电路.pptVIP

结论： （1）多子的浓度主要取决于掺入的杂质，受温度的影响很小； （2）少子的浓度虽然很低，但是它受温度的影响很大，少子浓度对温度的敏感性是致使半导体器件温度特性差的主要原因。 （3）无论是N型或P型半导体，从总体来看，仍然保持电中性。 （1）uD0时PN结正向偏置， （2） uD0时PN结反向偏置， 当温度一定时，反向饱和电流是个常数IS。 二极管的组成 2、模型分析法 1）折线近似法 （1）理想模型；（2）恒压降模型；（3）折线模型 3.2.3 基本应用电路 1、整流电路 2、限幅电路 3、开关电路 课后习题 3-5 2)小信号模型 二极管小信号模型的微变等效电阻 3.3.1 稳压二极管 稳压二极管是应用在反向击穿区的特殊硅二极管。稳压二极管的伏安特性曲线与硅二极管的伏安特性曲线完全一样，稳压二极管伏安特性曲线的反向区、符号和典型应用电路如图3.11所示。 图见下页 3.3 稳压二极管及其基本应用电路 稳压管正常工作时处于反向击穿区 图 3.11 稳压二极管的伏安特性 (a)符号 (b) 伏安特性 (c)应用电路 (b) (c) (a) 从稳压二极管的伏安特性曲线上可以确定稳压二极管的参数。 (1) 稳定电压UZ —— (2) 动态电阻rZ —— 在规定的稳压管反向工作电流IZ下，所对应的反向工作电压。 其概念与一般二极管的动态电阻相同，只不过稳压二极管的动态电阻是从它的反向特性上求取的。 rZ越小约好，反映稳压管的击穿特性愈陡。 rZ =?VZ /?IZ (3) 最大耗散功率 PZM —— 稳压管的最大功率损耗取决于PN结的面积和散热等条件。反向工作时PN结的功率损耗为 PZ= VZ IZ，由 PZM和VZ可以决定IZmax。 (4) 最大稳定工作电流 IZmax 和最小稳定工作 电流IZmin ————— 稳压管的最大稳定工作电流取决于最大耗散功率，即PZmax =VZIZmax 。而Izmin对应VZmin。 若IZ＜IZmin则不能稳压。 稳压管电路 稳压二极管在工作时应反接，同时接入一只限流电阻。 电阻的作用一是起限流作用，以保护稳压管；其次是当输入电压或负载电流变化时，通过该电阻上电压降的变化，取出误差信号以调节稳压管的工作电流，从而起到稳压作用。 * * * * * * * 第 3 章 半 导 体 二 极 管 及 其 基 本 应 用 电 路 3.1 半导体基础知识 3.2 半导体二极管及其基本应用电路 3.3 稳压二极管及其基本应用电路 3.1 半导体的基础知识 3.1.1 本征半导体与杂质半导体 3.1.2 PN结 3.1 半导体基础知识 物质的导电特性取决于原子结构，最外层电子受原子核的束缚力的大小来判断该物质的导电性。 物质按导电性能的分类： 导体：低价元素，如铜、铁、铝等金属，最外层电子受原子核的束缚力很小，极易形成自由电子。在外电场作用下, 这些电子产生定向运动(称为漂移运动)形成电流, 具有较好的导电特性。 绝缘体：高价元素(如惰性气体)和高分子物质(如橡胶, 塑料)最外层电子受原子核的束缚力很强，不易形成自由电子，导电性极差。 半导体：导电特性介于导体和绝缘体之间。半导体的电阻率为10-3～109 ??cm。典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等。 3.1.1 本征半导体与杂质半导体 (1)本征半导体的共价键结构 (2)电子空穴对 (3)空穴的移动 1、本征半导体 纯净晶体结构的半导体称为本征半导体。 材料：硅和锗（均为四价元素，在原子结构中最外层轨道上有四个价电子。 ） 图3.1 硅原子空间排列及共价键结构平面示意图 (a) 硅晶体的空间排列 (b) 共价键结构平面示意图 (1）本征半导体的共价键结构 把硅或锗材料拉制成单晶体时, 相邻两个原子的一对最外层电子(价电子)成为共有电子, 它们一方面围绕自身的原子核运动, 另一方面又出现在相邻原子所属的轨道上。即价电子不仅受到自身原子核的作用, 同时还受到相邻原子核的吸引。于是, 两个相邻的原子共有一对价电子, 组成共价键结构。 故晶体中, 每个原子都和周围的４个原子用共价键的形式互相紧密地联系起来,这种结构的立体和平面示意图见图3.1。 (c) （2）电子空穴对 当导体处于热力学温度0K时，导体中没有