[工学]电磁场与电磁波课件第二章.ppt

(1).麦克斯韦的漩涡电场假设 2.麦克斯韦方程组的积分形式（5个） 3.麦克斯韦方程组的微分形式 四. 时变电磁场边界条件 —麦克斯韦积分方程组在边界上某一点处的结果 不同媒质的切向分量边界条件 2. 不同媒质的法向分量边界条件 理想导体表面的边界条件 在无源区域内， ， ，由麦克斯韦方程可见，时变电磁场中的电场和磁场两者相互转换又相互依存，电力线和磁力线均为闭合曲线且相互铰链。时变的电场激励时变的磁场，时变的磁场又激励时变的电场，形成电磁波，以有限的速度传向远方。 对于不随时间变化的静态场，则 那么，上述麦克斯韦方程变为前述的静电场方程和恒定磁场方程，电场与磁场不再相关，彼此独立。 例：真空中磁场强度的表达式为 其中 ， 试求： （1）位移电流密度（2）电场强度 是常数 解：在自由空间中，传导电流为0。根据麦克斯韦方程，可求得位移电流 对时间积分，可以求得电通量密度（也称电位移） 自由空间中的电场强度，根据结构方程求得 说明：1）若已知电场强度，求磁场强度，同样可以根据麦克斯韦方程求得。 2）自然界中所有的场的分布，都满足麦克斯韦方程组。 求解边界条件的三个假定： ① 两种不同媒质（ 、 、 ）和（ 、 、 ）的分界面 ② 将任意平滑的分界面视为平面（讨论某一点处的情况时才可以如此） ③ 分界面的法线方向 从媒质2指向媒质1 证明：电介质中 电介质中的高斯定律：静电场中穿过任一高斯面的电位移通量等于该 曲面所包围自由电荷的代数和。 电介质中的高斯定律比真空中的高斯定律更普遍 电介质中的高斯定律表明，只有高斯面内的自由电荷才对穿过该面 的电位移通量有贡献，而不必考虑极化电荷的影响。 虽然穿过高斯面的通量仅与高斯面内部的电荷有关，但高斯面上的 场矢量 或 却与高斯面内外的所有电荷都有关。 一般情况下，高斯定律不能直接用来进行场强的计算。但当电位移 (或电场 )存在某些特殊的对称性时，应用高斯定律求 或者 将会带来很大的方便。 注意点 例 计算点电荷的电场强度。 解：取球心位于点电荷的球面为高斯面。若点电荷为正电荷，球面上各点的电场强度方向与球面的外法线方向一致。利用高斯定律 得 上式左端积分为 或 例 设半径为a，电荷体密度为? 的无限长圆柱带电体位于真空，计算该带电圆柱体内外的电场强度。 x z y a L ? S1 选取圆柱坐标系，令 z 轴为圆柱的轴线。由于圆柱是无限长的，对于任一 z 值，上下均匀无限长，因此场量与 z 坐标无关。对于任一 z 为常数的平面，上下是对称的，因此电场强度一定垂直于z 轴，且与径向坐标 r 一致。再考虑到圆柱结构具有旋转对称的特点，场强一定与角度 无关。 取半径为 r ，长度为 L 的圆柱面与其上下端面构成高斯面。应用高斯定律 当 r a 时，则电量q 为 , 求得电场强度为 因电场强度方向处处与圆柱侧面S1的外法线方向一致，而与上下端面的外法线方向垂直，因此上式左端的面积分为 当 r a 时，则电量q 为 , 求得电场强度为 上式中?a2? 可以认为是单位长度内的电量。那么，柱外电场可以看作为位于圆柱轴上线密度为 =?a2? 的线电荷产生的电场。由此我们推出线密度为 的无限长线电荷的电场强度为 例 已知半径为r1 的导体球携带的正电量为q，该导体球被内半径为 r2 的导体球壳所包围，球与球壳之间填充介质，其介电常数为?1 ，球壳的外半径为 r3 ，球壳的外表面敷有一层介质，该层介质的外半径为r4 ，介电常数为?2 ，外部区域为真空，如左下图示。 r1 r2 r3 r4 ? 0 ? 2 ? 1 试求：①各区域中的电场强度； ②各个表面上的自由电荷 和 束缚电荷。 解 由于结构为球对称，场也是球对称的，应用高斯定理求解十分方便。取球面作为高斯面，由于电场必须垂直于导体表面，因而也垂直于高斯面。 在 r r1及 r2r r3 区域中，因导体中不可能存静电场，所以E = 0。 r1 r2 r3 r4 ? 0 ? 2 ? 1 在 r1r r2 区域中，由 ， 得 同理，在 r3r r4 区域中，求得 在 r r4 区域中，求得 3.电荷守恒定律 电荷既不能被创造也不能被消灭，它只能从物体的一个部分转移到另一个部