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Chapter 1 常用半导体器件 （复习） §1.1 半导体基础知识 §1.1.1 本征半导体 两种载流子(Charge Carriers) : Electron (电子)、 Hole(空穴) §1.1.2 杂质半导体 §1.1.3 PN Junction (PN结) 二、PN 结的单向导电性 PN结加反向电压时的导电情况 PN结的电流方程 PN结的电容效应 扩散电容 §1.2 半导体二极管 (Diode) § 1.2.1 常见结构 §1.2.2 二极管的伏安特性 §1.2.3 二极管的主要参数 最大整流电流 IF 最高反向工作电压 UR(约为VBR的一半） 反相电流IR 最高工作频率fM §1.2.4二极管的等效电路 二、二极管的微变等效电路 三、高频模型 §1.2.5 稳压二极管 二、稳压管的主要参数 稳压管应用例题 § 1.3 双极型晶体管 （Bipolar Junction Transistor） §1.3.1 晶体管的结构及类型 两种类型：NPN型和PNP型 发射区的掺杂浓度大； 集电区掺杂浓度低；面积大 基区薄（几个微米至几十个微米） §1.3.2 晶体管的电流放大作用 适当的直流偏 电压。 放大状态： 发射结正向偏置 集电结反向偏置。 IE= IEN+ IEP 且有IENIEP IEN=ICN+ IBN 且有IEN IBN ，ICNIBN 三、晶体管的共射电流放大倍数 §1.3.3 晶体管的共射特性曲线 二、输出特性曲线 3. 饱和区： uBE Uon , uCE uBE 临界状态： uCE=uBE §1.3.4 晶体管的主要参数 二、交流参数 三、极限参数 3. 极间反向击穿电压 (Breakdown Voltage) 安全工作区 SOA (Safe Operation Area） PCM、 ICM和V(BR)CEO限定 半导体三极管图片 半导体三极管图片 § 1.4 Field Effect Transistor  (场效应晶体管） §1.4.1 结型场效应三极管 (Junction Field Effect Transistor JFET ) §1.4.2 绝缘栅型场效应管 一、N沟道增强型 MOSFET 输出特性 转移特性 N沟道耗尽型场效应管 §1.4.3 场效应晶体管的参数 1. 开启电压VGS(th) 增强型场效应管参数，栅源电压小于开启电压的绝对值, 场效应管不能导通。 4. 输入电阻RGS(DC) 栅源输入电阻的典型值， 结型场效应三极管，反偏时RGS约大于107Ω， 绝缘栅型场效应三极管, RGS约是109～1015Ω。 END 三个要点： 发射结扩散运动形成I E； 扩散到基区的自由电子与基区空穴复合形成IB； 集电结反偏，漂移运动形成IC。 发射结正向偏置 VBB uo uI + - 集电结 反向偏置 VCC 返回 发射结正向偏置 VBB uo uI + - 集电结 反向偏置 VCC VBB VCC uI + - - + uo 发射结正向偏置 集电结 反向偏置 返回 IC=ICN+ ICBO IB=IEP+ IBN－ICBO=IB-ICBO IE=IEP+IEN=IEP+ICN+IBN =(ICN+ICBO)+(IBN+IEP－ICBO) IE =IC+IB 二、晶体管的电流分配关系 返回 穿透电流 集电结反向饱和电流 共射电流放大倍数 返回 共基直流电流放大倍数 共基交流电流放大倍数 共射交流电流放大系数 返回 一、输入特性曲线 iB=f(VBE)|UCE=Const. b e c VBB VCC uI + - - + uo 输入回路 输出回路 返回 Uon 当VCE?1V后，集电结场强足以将发射区注入到基区的决大部分非平衡载流子收集到集电区 输入回路 PN结 二极管的伏安特性 (1) 死区 (2) 非线性区 (3) 线性区 返回 2. 放大区： uBE Uon, uCE ? uBE IC=?IB 1. 截止区： uBE ? Uon, uCE uBE IB=0, Ic=ICEO b e c 返回 一、直流参数 1.共射直流电流放大系数 2. 共基直流电流放大系数 3.极间反向电流 返回 当?下降到1时所对应的频率称为特征