[工学]模拟电子技术基础_第1章_童诗白_华成英_第四版.ppt

第1章 常用半导体器件 主要内容： 1 半导体基础知识 2 半导体二极管 3 晶体三极管 4 场效应管 导体:ρ小于10-3Ω·cm。 物质按其导电性 绝缘体:ρ大于108Ω·cm。 半导体: ρ介于两者之间。 常用的半导体有硅(Si)和锗(Ge)。 半导体的特性 掺杂特性：在纯净的半导体中掺入某些杂质，其 电阻率大大下降而导电能力显著增强。半导体二极 管、半导体三极管。 热敏特性：半导体的电阻率随着温度的上升而明 显下降，其导电能力增强。热敏电阻。 光敏特性：当受到光照时，半导体的电阻率随着 光照增强而下降，其导电能力增强。光电二极管、 光电三极管。 1.1本征半导体 定义：纯净的具有晶体结构的半导体。 晶体结构 晶体中的原子在空间形成排列整齐的点阵，称为 晶格。 本征半导体的共价键结构 两个或多个原子共同使用它们的外层电子，在理 情况下达到电子饱和状态，形成稳定的化学结构叫 共价键。 本征半导体中的两种载流子 价电子受热或受光照（即 获得一定能量）后，可挣 脱共价键的束缚，成为自 由电子（带负电），同时 共价键中留下一个带正电 的空穴。 在热激发下，本征半导体 中存在两种能参与导电的 载流子：电子和空穴。 本征半导体的载流子的浓度 本征激发：半导体在热激发下产生自由电子和空 穴对的现象称为本征激发。 复合：自由电子在运动过程中如果与空穴相遇就 会填补空穴，使两者同时消失。 在一定的温度下，本征激发所产生的自由电子与 空穴对，与复合的自由电子与空穴对数目相等，达 到动态平衡。即在一定温度下本征半导体的浓度是 一定的，并且自由电子与空穴浓度相等。 在常温下T=300K时，硅材料的本征载流子浓度 ni=pi=1.43×1010cm-3，锗材料的本征载流子浓度 ni=pi=2.38×1013cm-3。 1.2 杂质半导体 在本征半导体中掺入少量的杂质元素，就可得到 杂质半导体。 杂质半导体：N型半导体和P型半导体。 （1）N型半导体 在本征半导体中掺入五价元素（磷、砷等）而 得到杂质半导体。 掺杂后，某些位置上的 硅原子被五价杂质原子（如磷 原子）取代。磷原子的5个价 电子中，4个价电子与邻近硅 原子的价电子形成共价键，剩 余价电子只要获取较小能量即 可成为自由电子。同时，提供电子的磷原子因带正 电荷而成为正离子。电子和正离子成对产生。上述 过程称为施主杂质电离。五价杂质原子又称施主杂 质。常温下施主杂质已被全部电离。 在N型半导体中，自由电子的浓度大于空穴的浓 度，称自由电子为多数载流子，空穴为少数载流子。 N型半导体主要靠自由电子导电。 （2）P型半导体 在本征半导体中掺入三价元素（硼、铝等）而得 到的杂质半导体。 掺杂后，某些位置上的 硅原子被三价杂质原子（如硼 原子）取代。硼原子有3个价 电子，与邻近硅原子的价电子 构成共价键时会形成空穴， 导致共价键中的电子很容易 运动到这里来。同时，接受一个电子的硼原子因带负电荷而 成为不能移动的负离子。空穴和负离子成对产生。上述过程 称为受主杂质电离。三价杂质原子又称受主杂质。常温下受 主杂质已被全部电离。 在P型半导体中，空穴是多子，自由电子是少子。 1.3 PN结 采用不同的掺杂工艺，将P型半导体和N型半导体 制作在同一块硅片上，在它们的交界面处就形成PN 结。 （1）PN结的形成 扩散运动：物质总是由浓度高的地方向浓度低的 地方运动。 漂移运动：在电场力的作用下，载流子的运动。 另一方面，随着扩散运动的 进行，扩散到P区的自由电子 与空穴复合，扩散到N区的空 穴与自由电子复合，P区一边 空间电荷区也称耗尽层，即在空间电荷区能参与 导电的载流子已耗尽完毕；空间电荷区又称势垒区 ，势垒高度为U?。 PN结动态平衡时 PN结形成过程总结 （2）PN结的单向导电性 PN结加正向电压 PN外加正向电压时， 内建电场被削弱，势 垒高度下降，空间电 荷区宽度变窄，这使 得P区和N区能越过势 垒的多数载流子数量大大增加，而反方向的漂移电 流要减小，扩散电流起主导作用。流过PN结的电流 随外加电压U的增加而迅速上升，PN结正向导通。 PN结加反向电压 PN结加反向电压时， 内建电场被增强，势垒 高度升高，空间电荷区 宽度变宽。这就使得多 子扩散运动很难进行，