应变异质结构中超薄中间层的应变协调作用Journalof.PDFVIP

第 26 卷 　第 9 期 半 　导 　体 　学 　报 Vol . 26 　No . 9 2005 年 9 月 C H IN ESE J OU RNAL O F SEM ICONDU C TOR S Sep . ,2005 应变异质结构中超薄中间层的应变协调作用 陈涌海 　杨少延 　王占国 ( 中国科学院半导体研究所 半导体材料科学重点实验室 , 北京 　100083) 摘要 : 用一个简单模型讨论了应变异质结构中嵌入中间层对界面失配位错产生和应变释放的影响. 根据能量最小 原理得到了弹性能最小状态下界面失配位错密度 ,发现当中间层材料的晶格常数比衬底和外延层的都大或者都小 并且厚度足够薄时 ,超薄中间层可以完全吸收支撑衬底和外延层之间的应变而不产生任何界面失配位错 ,具有所 谓无支撑衬底的应变协调作用. 关键词 : 应变异质外延结构 ; 晶格失配 ; 可协变衬底 ; 失配位错 PACC : 6 150C ; 8160C 中图分类号 : TN 305054 　　　文献标识码 : A 　　　文章编号 : 02534 177 (2005) 本文从能量最小原理出发 ,讨论了超薄中间层 1 　前言 的可协变作用. 由于晶格常数和热膨胀系数的差异 ,一种材料 2 　无支撑衬底模型 外延在衬底上时会在材料中产生应变. 当外延层超 过某个临界厚度时 ,这个应变会弛豫 ,在外延层中引 所谓无支撑衬底就是厚度与外延层厚度相差不 发大量的位错和缺陷 ,使得材料的光电性能下降 ,这 大的一个超薄衬底 ,如图 1 (a) 所示. 在这样一个超 大大地限制了异质结构材料的应用. 199 1 年 ,Lo [ 1 ] 薄衬底上生长应变材料 ,应变会被分配在两层材料 提出了在无支撑衬底上外延晶格失配材料可减少外 中 ,而不仅仅在外延层里. 如果应变异质结通过产生 ( 位错而发生了部分应变弛豫 ,那么外延层和衬底层 延层中的穿透位错. 由此人们建立起可协变衬底 一 ) 中的应变( ε和 ε) 应满足下述条件[ 10 ] : 个可在支撑衬底上自由滑动的薄层材料 这一概念 , 2 1 并发展了多种可协变衬底技术 ,包括无支撑衬底[2 ] 、 ε ε α ( ) 2 - 1 = f 2 1 - 2 1 bN 2 1 1 晶片扭曲键合[3 ] 、SO I ( silicon on in sulator) [4 ] 等. 在 其中　下标 1 和 2 分别表示来自衬底和外延层的参 常规的衬底上生长了多种晶格失配的外延材料 ,证 数 ; f 2 1 = ( a1 - a2) / a1 是外延层和衬底层的晶格失 明这一概念是切实可行的. 因为薄层材料可在支撑 配度 ; b 是位错 Bur ger s 矢量的大小 ; N 2 1 是失配位 衬底上自由滑动