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* * 第七章 半导体电子论 半导体之所以有极为广泛的用途, 简单地说是由于在半导体内部电子可以做多样化的运动 建立了以能带论为基础的系统的电子理论 §7-1 半导体的基本能带结构 在一般温度下, 导带底有少量电子, 价带顶有少量空穴, 半导体的导电就是依靠导带底的少量电子和价带顶的少量空穴 一、半导体的带隙 光照可以激发价带的电子到导带, 形成电子－空穴对, 这个过程称为本征光吸收 本征光吸收光子能量 ?ω 应满足 或 λ为光波波长 因此存在有长波限 称为本征吸收边 在本征吸收边附近的光跃迁有两种类型。第一种对应于导带底和价带顶在 k 空间相同点的情况 可以证明, 电子吸收光子自价带状态跃迁到导带 k’态时, 除了必须满足能量守恒以外, 还必须符合准动量守恒的选择定则, 即 因此, 光吸收的跃迁定则可以近似写为 这就是说, 在跃迁过程中, 波矢可以看做是不变的,在能带的 E(k) 图上, 初态和末态几乎在同一条竖直线上, 因此这样的跃迁称为竖直跃迁 在讨论本征吸收时, 光子的动量可以略去, 因为本征吸收光子的波矢为 的, 而布里渊区的尺度的数量级是 第二种类型对应于导带底和价带顶在 k 空间不同点的情况 这时在本征吸收边附近的光吸收过程是所谓非竖直跃迁 在这种情况下, 单纯吸收光子不能使电子由价带顶跃迁到导带底, 必须在吸收光子的同时伴随有吸收或发射一个声子 这时能量守恒关系为 电子能量差＝光子能量 ± 声子能量 但是声子能量是较小的, 数量级为百分之几电子伏 (kB × 德拜温度）以下, 因此, 近似的有 电子能量差＝光子能量 而准动量守恒的跃迁选择定则为 略去光子动量, 有 也就是说, 在非竖直跃迁过程中, 光子主要提供跃迁所需要的能量, 而声子则主要提供跃迁所需要的准动量 通常把导带底和价带顶处于 k 空间同一点的半导体, 称为直接能隙半导体, 而处于不同点的半导体称为间接能隙半导体 与竖直跃迁相比, 非竖直跃迁是一个二级过程, 发生的几率要小得多 导带中的电子跃迁到价带空能级而发射光子, 是上述光吸收的逆过程, 称为电子－空穴对复合发光 一般情况下电子集中在导带底, 空穴集中在价带顶, 发射光子的能量基本上等于带隙宽度 由于与光吸收情况同样原因, 在直接带隙半导体中这种发光的几率远大于间接带隙半导体, 制作利用电子－空穴复合的发光器件时, 一般要用直接带隙半导体。发光的颜色取决于半导体的带隙宽度 带隙宽度是半导体能带一个基本参数, 可以用上述本征光吸收的实验来测定, 也可以用电导率随温度的变化实验来测定 用光学测量方法还可以确定是直接还是间接带隙半导体 锗、硅材料都是间接带隙半导体。GaAs、InAs 是直接带隙半导体, α-Sn 的带隙宽度为零, 称为零带隙半导体, HgTe 是半金属, 导带和价带之间有能带交叠 二、带边有效质量 导带底附近的电子有效质量和价带顶附近的空穴有效质量也是半导体能带的基本参数 在极值点 k0 附近, E(k) 函数可以做泰勒展开, 写成 E(k0) 为极值处的能量, 因为是在极值附近, 一次幂系数为零, 只保留到二次幂)。 这里已适当选择了主轴方向 从布洛赫波 满足的波动方程出发 利用 , 有 有效质量是由极值附近能量函数 E(k) 的二次项决定的 理论上估计有效质量就归结为求 E(k) 在极值附近展开式的二次项, 可通过 k·p 微扰方法求得 代入波动方程, 则 整理可得 和 这就是布洛赫函数的周期部分 unk(r) 满足的普遍方程, 它的解必须是晶格的周期函数, 由这个方程加上周期性函数解的条件, 就可求得全部 En(k) 它的中心思想是用已知的某处 k0 的解, 求得另一个k 处的解。因为任意 k0 的全套解 unk0 , n=0,1,2, …代表满足上式的完备的周期函数系 上式也是 k·p 微扰计算的出发点 所以, 这个原则并不限于在 k0 附近的微扰计算, 原则上布里渊区任意点 k 的解 unk 都可以用 unk0 来表示 为了简化, 讨论极值点 k0 = 0 的情况, 显然, 在 k=0 (布里渊区中的Γ点）un0(r) 满足的方程为 它的解 un0(r) 就是Γ点的波函数 ψn0(r), En(0) 就是 ψn0 对应的能量本征值, 这些通常是已知的 在 k=0 附近, unk(r) 的解, 可以把 un0(r) 做为零级近似, 把 ?k·p/m 项做为微扰, 用通常的微扰论方法得到 设能带是非简并的简单情况, 非简并的一级微扰有 其中 |n0为 un0(r) 的简写