电化学方法制备犁犻阵列微孔的工艺研究-原子核物理评论.PDF

第 卷 第 期 原 子 核 物 理 评 论 ， ２５ ３ Ｖｏｌ．２５ Ｎｏ．３ 　 　 　 年 月 ， ２００８ ９ ＮｕｃｌｅａｒＰｈｓｉｃｓＲｅｖｉｅｗ Ｓｅ． ２００８ 　 ｙ ｐ 　 文章编号： （ ） １００７－４６２７２００８０３－０２７７－０５ 　　 电化学方法制备 阵列微孔的工艺研究 犛犻 ， ， ， ， ， １ ２ １ ＃ １ １ １ １ ２ １ ２ １ ２ 薛智浩 ，孙友梅 ，常海龙 ，刘 杰 ，侯明东 ，姚会军 ，莫 丹 ，陈艳峰 　 　 （ 中国科学院近代物理研究所，甘肃 兰州 ； １ ７３００００ ２中国科学院研究生院，北京 １０００４９） 摘 要：对用电化学方法制备 大孔阵列管坑工艺进行了初步探索。通过对 在 溶液中各 Ｓｉ Ｓｉ ＫＯＨ 　 向异性湿法蚀刻和在 ＨＦ酸溶液中的电化学蚀刻过程中各种参数的摸索，确定在室温下制备大孔 阵列的最佳配比浓度，蚀刻出符合要求的管坑阵列，为进一步制备结构化闪烁屏奠定了实验基础。 关 键 词：各向异性蚀刻；微孔阵列；电化学蚀刻 中图分类号：Ｏ６４６ 文献标识码：Ａ 　　　 １ 引言 刻槽主体用耐 ＨＦ酸腐蚀的聚四氟乙烯材料制成， 　 蚀刻过程中用纯度为 ９９．９５％Ｐｔ作为电化学的阴 Ｓｉ片在 ＨＦ酸溶液中电化学蚀刻工艺的研究始 极，阳极通过不锈钢法兰加压连接在 片上，顶部 Ｓｉ 于 世纪 年代。通过电化学可以在 片上形成 ２０ ５０ Ｓｉ 的石英玻璃窗用于 正面蚀刻过程的观测， 片 Ｓｉ Ｓｉ 多孔 或电抛光 ，也可以蚀刻出微孔阵列，微孔 Ｓｉ Ｓｉ 下方用卤素灯照射。 ［］