[工学]第4讲 晶体三极管.pptVIP

第四讲 晶体三极管 1.3.1、晶体管的结构和符号 1.3.3、晶体管的共射输入特性和输出特性 1.3.3、晶体管的共射输入特性和输出特性 2. 输出特性 晶体管的三个工作区域 1.3.4、主要参数 1.3.5、温度对晶体管特性的影响 讨论一 讨论二 作业 P70 1.10，1.12 * 一、晶体管的结构和符号 二、晶体管的放大原理 三、晶体管的共射输入特性和输出特性 四、温度对晶体管特性的影响 五、主要参数 由两个PN结构成的 具有电流放大作用和开关作用 的半导体器件 Bell Labs首颗晶体管模型 John Bardeen（左）、William Shockley（坐）和Walter Brattain（右）共同发明了晶体管 晶体管的出现具有划时代的意义，它使电子电路一下子从电子管时代越进“矿石” 时代，大大推进了电子设备体积的缩小及性能的提高，更进一步出现了集成芯片。在形形色色的电子世界中，晶体管是绝大部分功能的实现者，是电子电路设计者必须掌握的基本要素。 多子浓度高 多子浓度很低，且很薄 面积大 晶体管有三个极、三个区、两个PN结。 小功率管 中功率管 大功率管 为什么有孔？ emitter base collecter 半导体三极管的型号 国家标准对半导体器件型号的命名举例如下： 管子规格为A档，反应承受反向击穿电压的程度 序号为31,反应极限参数，交直流参数的差别 X低频小功率管f3MHz，P1W;G高频小功率;D低频大功率;A高频大功率 A/PNP型锗材料，B/NPN锗,C/PNP硅，D/NPN硅，E/化合物材料, 三极管 3AX31A 实验室常用 VCVB VE VCVB VE Bace（P） Collector（N） IB IE IC NPN型三极管 Emitter（N） IB IE IC PNP型三极管 C（P） B（N） E（P） 1.3.2. 晶体管的电流放大作用 1、晶体管内部载流子的运动（△uI=0） VBB N P N IEN IBN ICBO IEP Rb RC VCC IC IB IE ICN 1.发射极加正向电压，扩散运动形成发射极电流IE（发射载流子） 扩散电流IEN、IEP 2.扩散到基区的自由电子与空穴的复合运动形成基极电流IB 复合电流IBN 3.集电结加反向电压，漂移运动形成集电极电流（收集载流子） 漂移电流ICN 4.集电极的反向电流 反向饱和电流ICBO 大 小 极小 大 因发射区多子浓度高使大量电子从发射区扩散到基区 因基区薄且多子浓度低，使极少数扩散到基区的电子与空穴复合 因集电区面积大，在外电场作用下大部分扩散到基区的电子漂移到集电区 少数载流子的运动 基区空穴的扩散 2、晶体管的电流分配关系 VBB N P N IEN IBN ICBO IEP Rb RC VCC IC IB IE ICN 3、晶体管的共射电流放大系数 定义： 称为共射直流电流放大系数 则： ICEO=(1+β)ICBO称为穿透电流 VBB N P N IEN IBN ICBO IEP Rb RC VCC IC IB IE ICN 硅管的穿透电流小于1uA，锗管 为0.5-1.5mA,且随温度增加。 VBB N P N IEN IBN ICBO IEP Rb RC VCC IC IB IE ICN 故： 因： 设输入△uI，则产生△iB 和△iC 定义： 称为共射交流电流放大系数 的关系： 和 设集电极电流由Ic变化到IC+ΔiC时，β基本不变 则： 所以： 注意：β与β在概念上不同，在数值上近似相等。 共基电流放大系数： 定义： 称为共基直流电流放大系数 的关系： 和 称为共基交流电流放大系数 与 比较 得 或 为什么UCE增大曲线右移？ 对于小功率晶体管，UCE大于1V的一条输入特性曲线可以取代UCE大于1V的所有输入特性曲线。 为什么像PN结的伏安特性？ 为什么UCE增大到一定值曲线右移就不明显了？ 1. 输入特性 β是常数吗？什么是理想晶体管？什么情况下 ? 对应于一个IB就有一条iC随uCE变化的曲线。 为什么uCE较小时iC随uCE变化很大？为什么进入放大状态曲线几乎是横轴的平行线？ 饱和区 放大区 截止区 晶体管工作在放大状态时，输出回路的电流 iC几乎仅仅决定于输入回路的电流 iB，即可将输出回路等效为电流 iB 控制的电流源iC 。 ≤ uBE ＜βiB ≥ Uon 饱和 ≥ uBE βiB ≥ Uon 放大 VCC ICEO ＜U