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VLSI设计基础 实验三 CMOS反相器的电路与版图设计及其功能验证 （一）、实验内容： 1、 掌握CMOS反相器的版图设计方法。 2、 掌握CMOS反相器的瞬时分析和直流分析的方法。 3、 了解集成电路设计当中的LVS。 （二）、实验方式与分组要求: 二人一机,上机操作。 （三）、实验步骤: 1、 CMOS反相器电路设计： 利用Cadence的电路图编辑工具Schematic Editor将PMOS和NMOS组合成反相器逻辑电路并输出网表文件。反相器输入输出端口的关系如实验指导书上的表3-1。 注意: 本次实验使用虚拟镜像文件为Red Hat Linux 8，在使用该虚拟机前需要设置好共享目录，并且将仿真所需要的仿真模型库文件tsmc_model拷入共享文件夹下，在本次实验中将使用该文件夹下的log022.scs文件做为仿真库文件。 （三）、实验步骤: （1）、启动cadance软件包，输入指令：icfb 鉴于所使用的仿真平台是基于镜像文件的虚拟机，因此要求大家在共享目录下进行仿真操作，因此进入系统后首先要切换到linux的共享目录下。 （三）、实验步骤: （2）、通过CIW控制台打开library manager，进行cadence的库管理。 （三）、实验步骤: （3）、在库管理器中使用电路原理图的方式创建新的电路单元。 （三）、实验步骤: （4）、在电路原理图输入窗口中创建所要建立的电路原理图，并设定相应的宽长比与元件model name。 注意： 一般在设计数字电路的原理图时，由于N型材料与P型材料的迁移率不同，因此为了保证NMOS与PMOS管的上升和下降时间能够相近，都将PMOS管的宽长比设计为NMOS管宽长比的2倍左右，保证数字门的性能。 在本次实验中所使用的PMOS与NMOS管仿真模型为台积电的0.22u模型，模型名分别为pch和nch，画图时如果选择四端元件，需要注意PMOS管的衬底电位为高电平，而NMOS管的衬底电位为低电平。 （三）、实验步骤: （5）、启动仿真环境，使用仿真器对电路原理图仿真，验证设计是否符合要求。 在仿真之前需要给仿真电路添加相应的仿真库文件，并且设置输入信号、仿真类型与仿真时间，为了观测仿真结果还要选择相应的输出结果。 （三）、实验步骤: （6）、选择仿真库文件。 （三）、实验步骤: （7）、设置仿真观测波形。 （三）、实验步骤: （8）、设置输入激励信号； （三）、实验步骤: （9）、设置仿真类型 （三）、实验步骤: （10）、运行仿真，得到仿真曲线 （三）、实验步骤: （11）、对所建立的反相器非门进行瞬态仿真，得到输入输出特性曲线，并根据仿真曲线测量上升延迟和下降延迟时间，将其填入实验指导书上的表3-2。 （三）、实验步骤: 2、利用Cadence的Layout-Edit进行反相器版图设计： （1）、 基本概念： 库（library）：特定工艺相关的单元集合 单元（cell）：构成系统或芯片模块的设计对象 视图（view）：单元的一种预定义类型的表示 CIW：命令解释窗口 属性（attributes）：预定义的名称-值对的集合 搜索路径（search path）：指向当前工作目录和 工作库的指针 （三）、实验步骤: （2）、环境设置 ①、cshrc 文件设置：.cshrc文件中指定 Cadence 软件和 licence 文件所在的路径。 ②、cdsenv 文件设置： .cdsenv 文件包含了 Cadence 软件的一些初始设置，该文件用 SKILL 语言写，Cadence 可直接执行。 ③、cdsinit 文件设置 ④、cds.lib 文件设置 ⑤、工艺文件（technology file)：技术文件包含了设计必需的很多信息，对设计，尤其是版图设计很重要。它包含层的定义，符号化器件定义，几何、物理、电学设计规则，以及一些针对特定 Cadence 工具的规则定义，如自动布局布线的规则，版图转换成 GDSII 时所使用层号的定义。 ⑥、显示文件（display.drf） （三）、实验步骤: （三）、实验步骤: （3）、建库 执行：CIW－Tools－Library Manager… LM－File－New－Library… （三）、实验步骤: （4）、指定工艺文件 （三）、实验步骤: （5）、建立版图单元 执行：LM－File－New－Cell View… （三）、实验步骤: （6）、打开版图