Au_Zr_Ti_C体系的热力学计算（已处理）.doc

Au_Zr_Ti_C体系的热力学计算 , . , , , , .: . ? ? . .. ? . ?,?,?,? ?? . ,?? ?? ??. . ? ?? ,??. . ,// // ,?~ ?? ..第一章文献综述 中南大学硕士学位论文 第一章文献综述 .引言 金刚石具有许多优异的性能,尤其在电子领域具有极其广阔的应用前景。 近年来,随着化学汽相沉积法制备金刚石技术的发展,使金剐石的大量应用成 为可能。使金刚石薄膜金属化是目前金刚石半导体器件常用的制备工艺。 为使器件的电学性能得到进一步改善,满足电子技术的迅猛发展对器件质量的 越来越苛刻的要求,在研制高品质金刚石薄膜的同时,必须对金属化过程中及 使用条件下器件结构的组织演变情况具有透彻的了解,从而进行合理的预测和 优化设计。因此,开展金刚石薄膜器件金属化和使用过程中组织形态演变的研 究具有十分重要的意义。 .金刚石及其薄膜的形成 .碳的同素异构体 碳在元素周期表中占据第一短周期中间的族位置,在基态时的电子结构 是,有利于形成共价键和多种价键类型。除了众多的碳氢化合物及其 衍生物外,碳的同素异构体多样性也是所有元素中少有的。这些物质虽然都由 碳元素构成,但它们的物理特性都相差甚远。黑色的木炭、煤和碳黑都是碳元 素组成的无定形物质,而石墨和金刚石则是碳元素的晶体物质。石墨晶体是由 平面层状结构单元组成的晶体,如图.所示。其层间联系很弱,因此石 墨晶体是一种固体润滑剂。石墨的层状平面有大量大电子可以自由运动,因 此石墨具有良好的导电性能。同时大“电子的能级连续,因此可以吸收不同波 长的光,呈黑色,是一种良好的黑体材料。而在金刚石中,每个碳原子与周围 的碳原子生成四个。键,生成的四个。键相互成’夹角,呈正四面体方向 空间立体分布,组成一个空间的网架,如图.。 . 键的键长短键能高,因此组成的金刚石晶体是所有己知材料中最坚硬 的。键中的。电子不容易离开所在的键,也不容易激发,所以金刚石通常不导 电,也不容易吸收电子,因此纯净的金刚石晶体是无色透明、非常良好的光学第一章文献综述 中南大学硕士学位论文 材料。另外,用于吸收气体或液体中的杂质的活性碳和比重轻而强度高的碳纤 维,其组成元素也只有一种碳。除了以上提到的碳的同素异构体外,还有正交 晶系石墨和六方晶系金刚石和新近发现的以。为代表的富勒烯 家族。 金刚石的晶体结构 图石墨的晶体结构 根据实验结果,在年和计算了直到的金刚石与 石墨间的平衡线,并把这条线外推,这就是线【】,如图卜中 点划线所示。在这条线上方是金刚石稳定而石墨亚稳定的区域,下方则相反。 由图可知,在常温常压下,石墨更稳定。在、大气压下,两者的标准 自由能相差./:在、约大气压下,金刚石和石墨才达到平 衡。因为金刚石和石墨之间有一个足够大的势垒,且在时变化的速率基本 上等于零,所以金刚石在通常条件下不会自动变成石墨。 图一碳的平衡相图第一章文献综述 中南大学硕士学位论文 ..金刚石的特性 金刚石具有许多独特的优良性质。它是现在己知的最硬的材料 ‖,同时也有最高的强度和弹性模量。它的摩擦系数低,化学性质 不活泼,抗酸碱、耐电磁辐射、耐高压和高温,且声波在其中的传播速度最快; 在电学方面,它是很好的绝缘材料电阻率 ,具有很宽的禁带., 载流子的迁移率高电子:“ ,空穴:。。,电子和空穴 的饱和速度都很高,而且有很高的的击穿电压/。金刚石还具有压阻 效应,可以制作压力或加速度的传感器,更独特的是它的表面有负电子亲和势 ..,很低的电场下即可维持向真空的电子发射,因而可以利用金刚石薄 膜制造冷阴极电子发射器件和平板显示器件。光学方面,它有很高的折射率和 透光性,对红外光和可见光几乎完全透明,而且可应用短波长光、紫外线的探 测器中。同时金刚石的导热率也是无可比拟的,在常温时,金刚石的导热速率 比最好的金属银还高四倍以上,其散热效能在高温更能显现。当使用金刚 石薄膜作散热的热沉时,半导体、激光器和高功率的集成电路温度的上升远低 于用陶瓷材料作衬底。金刚石电阻高,又耐磨,而且金刚石与半导体所用的硅 都具有极低的热膨胀系数,因此金刚石很适合与硅晶片和集成电路搭配。同时, 金刚石本身是一种高温半导体材料,金刚石材料的半导体器件运算速度比目前 所用的硅晶片和砷化镓更快,金刚石的能隙很高,加上它优越的散热性能,因 此金刚石半导体可以在高达的高温工作。 ..金刚石薄膜的制备及其金属化 世纪年代,美国通用电气公司首先用高压发生装置及金属催化剂方 法在较高温度下合成了金刚石。它是在金刚石热力学稳定区以石墨为原料合成 的。早期合成金刚石主要都是采用这种方法【引,即高温高压法。然而,高温高 压法获得的人造金刚石为细小颗粒状粉末,这样的粉末需引入添加剂在高温高 压下才能成型,而且,