1在输出特性曲线上,满足IC=HFEIB关系的区域是.doc

209 按章节排序 一章 二极管半导体 168半导体器件不具有 D A热敏性 B光敏性 C掺杂灵敏性 D恒温性 171半导体材料硅和锗原子的价电子都是 D A 1 B2 C 3 D 4 172半导体材料是指（ ）等物质 3 A 硼 B磷 C硅 D二氧化硅 163电子数为32的锗原子和电子数为（ ）的硅原子特性很接近 A A 14 B 18 C 30 D 33 166在杂质半导体中，多数载流子的数量主要取决于 C A环境温度 B本征半导体质量 C杂质溶度 D晶体缺陷 169本征半导体是（ ）的半导体 A A未掺入杂质 B掺入等量的三价和五价杂质 C掺入三价杂质 D掺入五价杂质 167本征半导体在温度T=OK和无光照时，导电能力与（ ）很接近 C A金属 B小电阻 C绝缘体 D掺杂半导体 175 N型半导体是指（）的半导体 A A电子导电为主 B空穴导电为主 C离子导电为主 D导电能力很弱 173 多数载流子是（ ）的半导体叫做P型半导体 B A自由电子 B空穴 C正离子 D负离子 164当（ ）后，就形成了PN结 C A N型半导体内均匀掺入少量磷 B P型半导体内均匀掺入少量硼 C P型半导体和N型半导体紧密结合 D P型半导体靠近N型半导体 PN结（ ）时，空间电荷区变宽 B A 反向电压减少 B反向电压增加 C正向电压减少 D 正向电压增加 165当PN结加正向电压时，应有 D A空间电荷区变薄、电流减少 B空间电荷区变厚、电流减少 C空间电荷区变厚、电流增加 D空间电荷区变薄、电流增加 174硅PN结的正向导通电压约为 C A小于0.1V B 0.2~0.3V C 0.6~0.7V D大于1V 186普通二极管 B A无PN结电容，不能当变容二极管用 B有PN结电容，不能当变容二极管用 C无PN结电容，能当变容二极管用 D有PN结电容，能当变容二极管用 199晶体二极管的主要特性是 2 A放大特性 B单向导电性 C线性化伏安特性 D恒流特性 196二极管具有（ ）功能 D A检波、变压 B箝位、滤波 C限幅、放大 D检波、整流 197二极管正向导通时，一定是 C A阳极接正电压 B阴极接负电压 C阳极电压高于阴极电压 D阴极电压高于阳极电压 190二极管被反向击穿后， B A二极管就损坏了 B在限流的情况下，还可正常工作 C再次工作时，性能会显著下降 D只有很小的电流产生 198性能良好的二极管是