面的作用增强.pdfVIP

对生L乇膜面的作用增强 ，吼而造成薄膜中的压嘘力。这种原子喷九作甩在薄噤生长过程中一 直稳定维持着．故压戌力与膜I摹无茺l。 妇、结 论 1．一般来说，薄膜内应力起源千薄膜生长过程中的某种结构不完整性、表面能态的存在 以及薄膜，基体界断问的品格错配等。目前已提出不步有关应，勾起源的理论模劐，但每个模型 一 般 铯船释ij!；分实验事实。对应 起源的撵讨，颡 簿模或交、生长和微观结构韵深入研 究作为基础 。 2．研究了磁控溅射Co一＆ 磊Gd— 嫫的应力 生机制 Co． 骥的张应力起源予薄膜生 长过程中自可结均缺涵摘除玻应。丽Gd—Fr膜中存饪释 碰力耵}生长碰力 (均为压应力) 界面 应力与Gd在薄膜 ／基片界面的偏聚有关，而生长应力劂起源于原子喷丸效应。 参 考 文 献 1 D．＆ C~mpbell，H bD0k0iThinFilm Technology，eds．L 1．M ·娟elandR．Giang，M cGr_w-Hm ，New Yo ， 197ot12-3 2 F．M ．d’Heur]e．Inter．M at．Rev．．1989l34 f2) 53 3 R Abem 衄 net 。 nSolidFilms，1978I62l215 4 H．L．C~,welletB1．，J．App1．Phya．，1963I34|3261 5 K．L1Chopra，J．App]．Phy|．，1966I37|2249 6 n H．Brnd burstandJ．s-L．Leach，J．Elecu~chem．s伽 ．．1966l113—1245 7 J-H．VsnderMem ．J．App|．phys．，1963}34I3420 8 K．Salto ^l，J．App1．Ph朔．，I972}43l182 9 G．Gafne．r．Phil．M姐 ．．1960f5，1041 10 K．L．Chopraeta1．，Phil．Mmg．，1967ll6I261 11 H．S． catandR．W ，I-]offman．pro：．Phys．Soc．L~．dcm．1957lB70【95O 12 P．Chaudh|一，J．Vac．sc_Tech．o1．，1972l9f520 13 R．W ．Sp~ erand R．W．Hoff~ n，j．v·c．So1．Techno1．，1973IlI238 l4 _厶F．Zhouand Y．d．Fan．ThinSolid Ims．1994}239：1 l5 D．W ．H础 咐 nand J． Tb~ nton．J．Vac．Sci．T~hno,1．．1980{17t380 16 D_W ．Hoffmanand C．M ．Kulks Vac．Sci．Techno]．1985}A3：26OO 1， R． So m．e~h，V~~uulYt，19居lI34 ‘S7 J8 K-一El-M U盯， App1．Ph ．，L987{62：1796 {0 M Ih jhk 时 1．，TtxlnSolld }腓 ，1e辐 l13O：87 卸 l厶 F．Zhouand Yn }1，Thm- Hlm lStfe髑 and M~chnnic~!Propert~．sIv，Mat．Res．Soc．Syurp．proc。，eds． P．H．Towar,endet●L ，Pit~ahttrgh—PA，19∞ ．308：l 2l 范毛袋．周卷蜂．博膜辞学等抟术，1992；5 (3)，} 22 U A．G k叮，ela1．．iEEETr^n M 4A ．，1986I22| 31 (上j叠摹s3贾 电曩c整；l亡大 ．郢化擘厦瘴巷 太 ，转化 2．T；，sr曲，寸铀 ／PbO 电擞 比Pb 撅的电 寰 2 酚旧曩■化的转亿率 催他性能优良 I l ．1I l景 i；{媳 参考文献 }ltt }5l si土2．51jg^。日 ： Tr}sattis-E[ect~ hsm-Act|1984；29(1I) ItS0 薹墨l E}3