2-陶瓷和玻璃.pptx

第2章 陶瓷和玻璃一、基础知识典型陶瓷材料陶瓷和玻璃材料以其特有的性能，在电子工业中得到了广泛使用 二、用于微电子的陶瓷互连1.薄膜电路◇薄膜电路是将整个电路的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件以及它们之间的互连引线，全部用厚度在１微米以下的金属、半导体、金属氧化物、多种金属混合相、合金或绝缘介质薄膜，并通过真空蒸发、溅射和电镀等工艺制成的集成电路。◇薄膜集成电路中的有源器件，即晶体管，有两种材料结构形式：一种是薄膜场效应硫化镉或硒化镉晶体管，另一种是薄膜热电子放大器◇更多的实用化的薄膜集成电路采用混合工艺，即用薄膜技术在玻璃、微晶玻璃、镀釉和抛光氧化铝陶瓷基片上制备无源元件和电路元件间的连线，再将集成电路、晶体管、二极管等有源器件的芯片和不使用薄膜工艺制作的功率电阻、大容量的电容器、电感等元件用热压焊接、超声焊接、梁式引线或凸点倒装焊接等方式，就可以组装成一块完整的集成电路一般，薄膜工艺不用来加工完整的集成电路，而是制作导线网络、桥堆以及用硅半导体工艺加工有特殊性能要求的元件或功能模块，像高精度、高温度系数的电阻或电阻网络等。因为这种加工工艺较厚膜工艺会使体积更小、高频性能更好，有这种要求的场合也用来加工完整的IC气相沉积技术：利用气相之间的反应，在各种材料或制品表面沉积单层或多层薄膜，从而使材料或制品获得所需的各种优异性能提供气相镀料镀料向所镀制的工件（或基片）输送镀料沉积在基片上构成膜层化学气相沉积CVD--沉积粒子来源于化合物的气相分解反应物理气相沉积PVD物理气相沉积气相物质的产生 蒸发镀膜镀料加热蒸发溅射镀膜有一定能量的离子轰击靶材（镀料），从靶材上击出镀料原子气相物质的输送真空，避免镀料原子与气体碰撞妨碍气相镀料到达基片在高真空度的情况下（真空度为10-2Pa），很少碰撞，直线前进到达基片低真空度时（如真空度为10Pa），碰撞而绕射，但只要不过于降低镀膜速率，还是允许的如真空度过低，镀料原子频繁碰撞会相互凝聚为微粒，则镀膜过程无法进行气相物质的沉积--是一个凝聚过程根据凝聚条件的不同，可以形成非晶态膜、多晶膜或单晶膜反应镀：镀料原子在沉积时，可与其它活性气体分子发生化学反应而形成化合物膜离子镀：在镀料原子凝聚成膜的过程中，还可以同时用具有一定能量的离子轰击膜层，目的是改变膜层的结构和性能物理气相沉积镀膜技术分为：蒸发镀膜，溅射镀膜和离子镀膜3种。蒸发镀膜在高真空中用加热蒸发的方法使镀料转化为气相，然后凝聚在基体表面的方法固体在任何温度下气化（升华），形成蒸气在高真空中，将镀料加热到高温，相应温度下的饱和蒸气向上散发，基片设在蒸气源上方形成凝固膜电阻加热蒸镀:加热器材料常使用钨、钼、钽等高熔点金属电子束加热蒸镀：钨（熔点3380℃）、钼（熔点2610℃）和钽（熔点3100℃）等高熔点金属熔化合金膜的镀制 多电子束蒸发源是蒸发后几种组元同时凝聚成膜单电子束蒸发源沉积合金存在分馏问题蒸镀Ni-Cr二元合金膜，其组成为80/20蒸发温度约2000K，铬的蒸气压强比镍高100倍如镀料一次加热，铬消耗快，镀层逐渐贫铬 连续加料，熔池的温度和体积保持恒定是工艺成功的关键合金组元蒸气压差别过大，工艺受限 化合物的镀制 大多数的化合物在热蒸发时会全部或部分分解，简单的蒸镀技术无法实现氯化物、硫化物、硒化物和硫化物，少数氧化物如B203，SnO可以采用蒸镀（很少分解，或凝聚时各种组元又重新化合）与坩埚材料反应改变膜层成分限制化合物蒸镀采用反应镀：镀制TiC是在蒸镀Ti的同时，向真空室通入乙炔气，于是基片上发生以下反应而得到TiC膜层2Ti＋C2H2——2TiC十H2 蒸镀用途 蒸镀只用于镀制对结合强度要求不高的某些功能膜; 例如用作电极的导电膜，光学镜头用的增透膜等蒸镀镀制合金膜时保证合金成分比溅射困难得多镀制纯金属时，蒸镀镀膜速率快，90％是铝膜制镜工业中已经广泛采用蒸镀铝代银，节约贵重金属集成电路是镀铝进行金属化，然后再刻蚀出导线在聚酯薄膜上镀铝具有多种用途：制造小体积的电容器制作防止紫外线照射的食品软包装袋经阳极氧化和着色后即得色彩鲜艳的装饰膜双面蒸镀铝的薄钢板可代替镀锡的马口铁制造罐头盒溅射镀膜：是指在真空室中，利用荷能粒子轰击镀料表面，使被轰击出的粒子在基片上沉积的技术。其中离子溅射指入射离子的能量在100eV～10keV范围时，离子会从固体表面进入固体的内部，与构成固体的原于和电子发生碰撞，固体原子飞离固体表面阴极上接1－3kV的直流负高压，阳极通常接地，结构简单，控制方便工作压力较高膜层有沾污沉积速率低不能镀10μm以上的膜厚由于大量二次电子直接轰击基片使基片温升过高合金膜的镀制多靶共溅射，控制各个控靶的溅射参数，可以得到一定成分的合金膜合金靶（单靶）溅射，得到与靶材成分一致的合金膜化合物膜的镀制可选用化合物靶溅射