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一年级上册《汉语拼音5_g_k_h
The Introduction of CVD 、ALD and ECP
Problem ：
Trying to compar e the ALD 、ECP 、CVD, and interpret their theory 、
characteristic 、application 、advantage and drawback.
CVD(chemical vapor deposition, 化學氣相沉積) ：
是將反應氣體導入高溫爐，和晶圓發生某種化學作用，在晶圓表耳沉積一層薄
膜。傳統的CVD應用於生長SIO2 、SI3N4 、SION或多晶矽。近來也用於生長金屬層，
如W、Ti、Cu、Al；及生長阻障層如TiN、TaN；生長高介電材料BaSrTiOx ；生長低
介電材料的SiOF；生長鐵電材料如SrBiTaOx等；其原理為：
F1 = hg (Cg - Cs) ； F2 = ksCs
In steady state： F1 = F2 = F
Cg = y Ct
當 ks hg 時，則此矽晶成長為氣相質傳所控制，且
而當 hg ks 時，則此矽晶成長為表面反應所控制，且
其中：
2
F1 : 氣體中，每單位面積反應氣體的流量，單位為(atoms/cm .s)
2
F : 氣體與基座界面間，每單位面積反應氣體的流量，單位為(atoms/cm .s)
2
3
Cg : 氣體中，反應氣體的濃度，單位為 (atoms/cm )
3
C : 氣體與基座界面間，反應氣體的濃度，單位為 (atoms/cm )
s
hg : 氣相質傳係數 (5~10 cm/sec)
k : 表面反應常數 (cm/sec)
s
7
k : 常數 (1 x 10 cm/s)
o
v : 反應速率 (cm/sec)
22 3
C : 矽晶體中，每單位體積的原子數(對矽晶而言為 5 x 10 atoms/cm )
a
C : 氣體中，每單位體積的分子數
t
y : 反應氣體的莫耳分率
E : 活化能 (~ 1.9 eV)
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