[高等教育]Chap6 化学气相淀积.pptVIP

Chap.6 化学气相淀积（CVD） CVD的基本概念 CVD氧化膜与热生长氧化膜 CVD的工艺特点 CVD成膜温度远低于衬底的熔点或软点，减轻了对衬底的热形变，减少了沾污，抑制了缺陷的生成，减轻了杂质的再分布，适合于制造浅结分离器件及VLSI电路，而且设备简单，重复性好； 薄膜的成分精确可控，配比范围大； 淀积速率一般高于PVD，厚度范围广，由几百埃到数毫米，且能大量生产； 淀积薄膜结构完整，致密，与衬底粘附性好，且台阶覆盖性能较好。 CVD薄膜的应用 浅槽隔离（STI） 侧墙掩蔽 §6.1 CVD模型 CVD的基本过程 反应剂在主气流中的输送 反应剂从主气流中扩散通过边界层到达衬底表面 反应剂在表面被吸附 吸附的反应剂在表面发生反应，淀积成膜 反应的副产物和未反应剂离开衬底表面，排除 能用于CVD的化学反应必须满足的条件 淀积温度下，反应剂必须具备足够高的蒸气压； 除淀积物外，反应的其他产物必须是挥发性的； 淀积物本身必须具有足够低的蒸气压； 化学反应速率必须足够快以缩短淀积时间； 淀积温度必须足够低以避免对先前工艺产生影响； 化学反应应该发生在被加热的衬底表面，如果在气相发生化学反应，将导致过早核化，降低薄膜的附着性和密度，增加缺陷。 边界层理论 黏滞性流动；泊松流 边界层（附面层、滞流层）概念 边界层厚度： Re= ρUL / μ Grove模型 F1=hg(Cg-Cs) F2=ksCs Cs=Cg/(1+ks/hg) G=F/N= ks hg /(ks +hg) *Cg/N1 Ks hg时，表面反应控制： G= (Cg ks ) /N1 hg Ks时，质量输运控制： G= (Cg hg ) /N1 决定ks的主要因素：温度 ks＝k0exp(-EA/kT) 决定hg的主要因素：气体流速，气体成分，系统压力 hg=Dg/δs； 所以为了保证统一的淀积速率，就必须： 对于表面反应控制，保持处处恒定的温度 对于质量输运控制，保持处处恒定的反应剂浓度 淀积速率与温度的关系 §6.2 化学气相淀积系统 CVD系统通常包括： 气态源或液态源 气体输入管道 气体流量控制 反应室 基座加热及控制系统（其他激活方式） 温度控制及测量系统 减压系统（可选） CVD的气体源 气态源（SiH4） 许多气体有毒、易燃、腐蚀性强。 液态源（TEOS，Tetra-Ethyl-Oxy-Silane） 液体气压低，危险性小，运输方便，淀积的薄膜特性好。 冒泡法（温度） 加热液态源 液态源直接注入法 冒泡法液态源 CVD中常采用的源 CVD反应室热源 CVD反应室热源： 热壁式：气流稳定 冷壁式：侧壁淀积少，降低了颗粒剥离的污染，减少了反应剂的损耗 加热方式： 电阻直接加热 电感加热或高能辐射灯加热 常用的几种CVD系统 APCVD系统（Atmospheric Pressure CVD） 操作简单；较高的淀积速率；适于介质薄膜淀积； 易发生气相反应，产生颗粒污染；台阶覆盖性和均匀性较差；一般是质量输运控制，需精确控制各处的反应剂浓度均匀； 水平式反应系统；连续式淀积系统。 LPCVD系统（Low Pressure CVD） 污染小；均匀性和台阶覆盖性较好；一般是表面反应控制，精确控制温度比较容易； 气缺现象；较低的淀积速率；较高的淀积温度； 立式淀积系统；管式淀积系统。 PECVD系统（Plasma Enhanced CVD） 相对最低的淀积温度，最高的淀积速率；淀积的薄膜具有良好的附着性、低针孔密度、良好的阶梯覆盖、良好的电学特性、可以与精细图形转移工艺兼容； 设备较复杂，影响因素多：温度、气流速度、压力、射频功率等；可能的污染较多； 冷壁平行板；热壁平行板。 §6.3 CVD多晶硅的特性和淀积方法 多晶硅的性质 多晶硅=单晶硅颗粒（100nm数量级）+晶粒间界 相同掺杂浓度下，晶粒尺寸大的薄膜有较低的电阻率 多晶硅的作用 MOS结构中的多晶硅栅；局部互连材料；多晶硅发射极 化学气相淀积多晶硅 热壁式LPCVD： SiH4(吸附) Si(固)+2H2(气) 淀积条件对多晶硅结构及淀积速率的影响 淀积温度、压力、掺杂类型、热处理 §6.4 CVD二氧化硅的特性和淀积方法 低温CVD SiO2 （300~450℃） 1）硅烷为源的低温CVD SiO2 SiH4（气）+O2（气） SiO2（固） +2H2