第27讲8-7磁畴结构畴壁.pptVIP

总能量最小时的畴壁能γω和畴壁厚度δ分别为： γω =2π√[A1（K1+3λsσ/2）] δ=π√[A1/（K1+3λsσ/2）] 可见畴壁厚度与材料的K1, A1，λs，σ等参量有关。K1越大，δ越小，γω越大 在六方结构的Co和SmCo5等金属与合金中， K1很大，δ很小，γω很大,使φ角达6°~180°，并且φ角的分布是不均匀的。这种畴壁称为非连续畴壁模型 在Fe-Ni合金中，K1很小，如果内应力也很小的话，则畴壁厚度可相当地大,畴壁内相邻原子间磁矩的角度φ仅有0.18-1.8左右，磁矩的分布近似具有连续性，这种畴壁称为连续性的畴壁模型 2. 磁畴结构 畴结构受到畴壁能Eγ,磁晶各向异性能Ek、磁弹性能Eσ和退磁场能Ed的制约，其中退磁场能将是铁磁体分成畴的动力。其它能量将决定磁畴的形状、尺寸和取向 图8.17 边长为1cm*1cm*1cm的方块形单晶铁的可能畴结构，正面是(001)面 情况(a)：一个单畴体 磁晶各向异性能Ek、、磁弹性能Eσ均为零，方块形状决定的退磁场能就是总能量： Etotal=Ed= V (NMs2μ0) /2 式中V是磁体的体积。方块状铁磁体的退磁因子接近球体的退磁因子，即N=1/3， 设Ms=1.73×10-6A/m,V=5×10-7m3, 代入上式Ed=0.313J 情况(b)：n个片状畴， 退磁场能为： Ed=[ V (NMs2μ0) /2]/n 这样分畴越多，退磁能就越低。极端地说，可以分到象反铁磁性物质那样原子间相互反平行排列。 实验证明铁磁性物质的磁畴中有1015-1019个原子。这是因为实际上磁畴之间存在的（n-1）块畴壁具有畴壁能。因此这时的总能量Eb为： Eb=[ V (NMs2μ0) /2]/n + γ180×(n-1)S180 设n=20，则Eb=0.016J，是Ea的1/20 铁磁质单晶体磁化过程 H 铁磁质单晶体磁化过程 H 铁磁质单晶体磁化过程 H 铁磁质单晶体磁化过程 H 铁磁质单晶体磁化过程 H 铁磁质单晶体磁化过程 H 铁磁质单晶体磁化过程 H 铁磁质单晶体磁化过程 H 铁磁质单晶体磁化过程 H 铁磁质单晶体磁化过程 H 铁磁质单晶体磁化过程 H 铁磁质单晶体磁化过程 H 铁磁质单晶体磁化过程 H 铁磁质单晶体磁化过程 H 铁磁质单晶体磁化过程 H 铁磁质单晶体磁化过程 H 铁磁质单晶体磁化过程 H 铁磁质单晶体磁化过程 H 铁磁质单晶体磁化过程 H 铁磁质单晶体磁化过程 H 铁磁质单晶体磁化过程 H 铁磁质单晶体磁化过程 H 磁滞损耗 在交变电磁场中，铁磁质的反复磁化， 将引起介质的发热，称为磁滞损耗。 实验和理论都可以证明，磁滞损耗和磁 质回线所包围的面积成正比。 B H 3. 有剩磁、磁饱和及磁滞现象。 铁磁质的特性： 1. 磁导率μ不是一个常量，它的值不 仅决定于原线圈中的电流，还决定于铁磁 质样品磁化的历史。B 和H 不是线性关系。 2. 有很大的磁导率。放入线圈中时可 以使磁场增强102 ~ 104倍。 4.温度超过居里点时，铁磁质转变为顺 磁质。 软磁材料 B H 应用：硅钢片，作变压器、电机、电磁 铁的铁芯。铁氧 体（非金属）作 高频线圈的磁芯 材料。 特点：磁导率大，矫顽力小，容易磁化 也容易退磁。磁滞回线包围面积小，磁滞损 耗小。 特点：剩余磁感应强度大，矫顽力大，不 容易磁化，也不容易退磁。磁滞回线宽，磁 滞损耗大。 硬磁材料 应用：作永久磁铁，永磁喇叭 B H 应用：作计算机中的记忆元件。磁化时极 性的反转构成了“0”与“1”。 矩磁材料： B H 特点：磁滞回线呈矩形状 8.7 畴壁与磁畴结构 图8-15是Si-Fe合金在（001）晶面上观察到的磁畴，它由片状畴和三角畴组成 畴与畴之间的边界称为畴壁。相邻两个片状畴的磁矩夹角为180°时，它们的边界称为180°畴壁。片状畴与三角畴（又称封闭畴）之间磁矩相互垂直，它们的边界称为90°畴壁。在每一个磁畴内，磁矩平行或反平行地有序排列，产生自发磁化。而不同磁畴的自发磁化矢量则是随机排列 磁畴的形状、尺寸、磁畴壁的厚度由交换能、退磁场能、磁晶各向异性能及磁弹性能来决定。平衡状态的磁畴结构，应具有最小的能量 1.磁畴壁 在磁畴壁内原子磁矩的方向逐渐转变。根据原子磁矩转变的方式，可将畴壁分为布洛赫壁和奈尔壁 布洛赫壁的特点是畴壁内的磁矩转变时始终与畴壁平面平行 当铁磁体厚度减少到相当于二维的情况，即厚度为1~102nm的薄膜时，则畴壁的磁矩始终与薄