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第四部分 嵌入式硬件 TX-2440A 嵌入式视频教程 出品：天祥电子 网址： 第十讲 S3C2440存储器控制器 第十讲 S3C2440存控制储器 S3C2440存储控制器特性 2. SDRAM原理分析 3. NandFlash原理分析 S3C2440A 存储器概述 S3C2440A的存储器管理器提供访问外部存储器的所有控制信号 27位地址信号、32位数据信号、8个片选信号、以及读/写控制信号等 总共有8个存储器bank（bank0—bank7） bank0bank5为固定128MB bank6和bank7的容量可编程改变，可以是2、4、8、16、32、64、128MB 最大共1GB S3C2440A 存储器概述 bank0可以作为引导ROM 其数据线宽只能是16位和32位，其它存储器的数据线宽可以是8位、16位和32位 7个固定存储器bank(bank0-bank6)起始地址 bank7的开始地址与bank6的结束地址相连接，但是二者的容量必须相等 所有存储器bank的访问周期都是可编程的 支持SDRAM的自刷新和掉电模式 支持大小端（软件选择） S3C2440A 存储器概述 BANK0总线宽度设置 NANDFLASH启动： OM1=0 OM0=0 NORFLASH启动： OM1=0 OM0=1 SDRAM 原理分析 TX2440A开发板使用的SDRAM： 型号：K4S561632（两片） 大小： 4M*16bit*4banks*2= 512 bit = 64M 字节 数据宽度：32 bit 连接在BANK6上，片选信号nGCS6 地址范围：0x3000_0000—0x33FF_FFFF SDRAM 原理分析 K4S561632： 有四个逻辑BANK（L-BANK） 由BA1、BA0选择 行地址数：13 列地址数：9 SDRAM 原理分析 0x3000_0000~0x3100_0000 程序代码区、文字常量区 0x33ff_0000~0x33ff_4800 堆区 0x33ff_4800~0x33ff_8000 栈区 0x33ff_ff00~0x3400_000 偏移中断向量表 SDRAM存储区域分配图 SDRAM 配置寄存器 寄存器 地 址 功 能 操作 复位值 BWSCON 0总线宽度和等待控制 读/写 0x0 BANKCON0 0BANK0控制 读/写 0x0700 BANKCON1 0BANK1控制 读/写 0x0700 BANKCON2 0x4800000C BANK2控制 读/写 0x0700 BANKCON3 0BANK3控制 读/写 0x0700 BANKCON4 0BANK4控制 读/写 0x0700 BANKCON5 0BANK5控制 读/写 0x0700 BANKCON6 0x4800001C BANK6控制 读/写 0x18008 BANKCON7 0BANK7控制 读/写 0x18008 REFRESH 0SDRAM刷新控制 读/写 0xAC0000 BANKSIZE 0可变的组大小设置 读/写 0x0 MRSRB6 0x4800002C BANK6模式设置 读/写 xxx MRSRB7 0BANK7模式设置 读/写 xxx NOR FLASH NOR FLASH (EN29LV160AB): 大小：2M 数据宽度：16bit 连接在BANK0上，片选信号nGCS0 地址范围：0x0000_00000x0020_0000 特点： 线性寻址 可直接按地址进行读写操作 写操作之前需进行擦除操作 写入、擦除速度较慢，读取速度较快，单位密度低、成本较高 NAND FLASH NAND FLASH(K9F2G08) 大小：256M * 8Bit 数据宽度：8位 地址范围：有专门的时序控制总线，不占用系统总线资源 特点： 非线性寻址 读操作，一次必须读一个扇区（512字节） 写操作，可按指定地址直接写入 写之前必须进行擦除操作 单位密度高、成本低、擦除速度快 NAND FLASH 概述 闪存(Flash Memory)由于其具有非易失性、电可擦除性、可重复编程以及高密度、低功耗等特点，被广泛地应用于手机、MP3、数码相机、笔记本电脑等数据存储设备中。NAND Flash和NOR Flash是目前